Invention Grant
- Patent Title: 具有减少晶体管降级的高压移位器
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Application No.: CN202080018737.XApplication Date: 2020-01-27
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Publication No.: CN113574599BPublication Date: 2023-01-03
- Inventor: 山田重和
- Applicant: 美光科技公司
- Applicant Address: 美国爱达荷州
- Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee Address: 美国爱达荷州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 王龙
- Priority: 16/259,671 20190128 US
- International Application: PCT/US2020/015211 2020.01.27
- International Announcement: WO2020/159870 EN 2020.08.06
- Date entered country: 2021-09-03
- Main IPC: G11C5/14
- IPC: G11C5/14 ; G11C16/30 ; G11C16/08
Abstract:
本文论述用于预防高压(HV)移位器中的晶体管降级以将输入电压传送到例如全局字线的存取线的系统及方法。存储器装置的实施例包括存储器单元及HV移位器电路,所述HV移位器电路包含信号传送电路以及第一HV控制电路及第二HV控制电路。所述信号传送电路包含用于将高压输入传送到存取线的P沟道晶体管。所述第一HV控制电路将偏压电压耦合到所述P沟道晶体管达第一时段,且所述第二HV控制电路在所述第一时段之后将应力消除信号耦合到所述P沟道晶体管达第二时段以减少所述P沟道晶体管的降级。所述经传送高压可用于对所述存取线充电以选择性读取、编程或擦除存储器单元。
Public/Granted literature
- CN113574599A 具有减少晶体管降级的高压移位器 Public/Granted day:2021-10-29
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