- 专利标题: 一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法
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申请号: CN202110808484.2申请日: 2021-07-16
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公开(公告)号: CN113594370B公开(公告)日: 2022-05-31
- 发明人: 廖广兰 , 张许宁 , 刘智勇 , 孙博 , 刘星月 , 叶海波
- 申请人: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 专利权人: 华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
- 当前专利权人: 华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 许恒恒
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/48 ; C23C14/04 ; C23C14/06 ; C23C14/08 ; C23C14/20 ; C23C14/26 ; C23C14/30 ; C23C14/35
摘要:
本发明属于微纳制造与光电子器件领域,公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法,该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜,通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布,并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列,即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进,得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测,大视场成像等优点,极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
公开/授权文献
- CN113594370A 一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法 公开/授权日:2021-11-02
IPC分类: