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公开(公告)号：CN109473550A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811196299.7
申请日：2018-10-15
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备相关技术领域，其公开了一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括基底、形成在所述基底的表面上的电子传输层、形成在所述电子传输层远离所述基底的表面上的钙钛矿光敏层、形成在所述钙钛矿光敏层远离所述电子传输层的表面上的空穴传输层及形成在所述空穴传输层远离所述钙钛矿光敏层的表面上的碳对电极；所述空穴传输层为酞菁铜空穴传输层；所述电子传输层为CdS电子传输层；所述基底为FTO基底或ITO基底。本发明可实现大面积制备，简单易行，能耗低。
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公开(公告)号：CN109638159A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811314114.8
申请日：2018-11-06
申请人： 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
CPC分类号： H01L51/4213 , H01L51/0077 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/305 , H01L2251/306
摘要： 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备领域，并具体公开了可循环利用的钙钛矿太阳能电池及其制备与循环利用方法，其采用如下步骤制备：在预处理后的基底上从下至上依次制备N型半导体氧化物致密层、N型半导体氧化物多孔层、卤化铅薄膜层和多孔碳对电极层；将器件浸泡在钙钛矿反应溶液中制备钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液对器件进行清洗，烘干获得所需的可循环利用的钙钛矿太阳能电池。将需循环利用电池放入甲醇或乙醇溶液中，以溶解钙钛矿光敏层中的非铅有机卤化物；将处理后的电池浸泡在钙钛矿再生溶液中重新合成钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液清洗，烘干实现电池的循环利用。本发明的电池可反复循环利用，制备简单，可行性强，材料浪费少，无污染。
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公开(公告)号：CN113594370B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
摘要： 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN113594370A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
摘要： 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN112820824A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110005175.1
申请日：2021-01-05
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了提供了一种钙钛矿忆阻器及其制备方法，包括自下而上排列的底电极、无铅钙钛矿层、聚合物保护层和顶电极层；其中，所述无铅钙钛矿层为无铅金属卤化物钙钛矿，所述无铅金属卤化物钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒结构。所述方法包括：在底电极上采用热动态旋涂法旋涂无铅金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，退火处理在底电极上形成无铅钙钛矿层；在无铅钙钛矿层上旋涂聚合物溶液，退火，在无铅钙钛矿层上形成聚合物保护层；在聚合物保护层上通过热蒸发制备顶电极，在聚合物保护层上形成顶电极层，得到钙钛矿忆阻器。本发明避免了毒性铅的使用，并且无铅钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒，覆盖率高，防止短路。
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公开(公告)号：CN113659039A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296
摘要： 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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公开(公告)号：CN112563420A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011457667.6
申请日：2020-12-11
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明属于日盲光电探测技术领域，具体涉及一种日盲紫外钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明日盲紫外钙钛矿光电探测器，沿光的进入方向，依次设置有滤光层、下转换发光窗口层、导电玻璃层、钙钛矿光敏层和金属电极层，所述下转换发光窗口层能够将日盲紫外光转化为荧光，所述钙钛矿光敏层能够将荧光转换为电信号。本发明将钙钛矿可见光探测器和下转化窗口层进行集成，日盲紫外光首先被下转换层薄膜吸收后转换为肉眼可见的荧光，再由钙钛矿可见光探测器捕获并转化为电信号导出，有效克服了传统钙钛矿材料的光谱响应限制，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN117491427A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311426372.6
申请日：2023-10-31
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于主动红外无损检测相关技术领域，其公开了一种基于透射激光锁相的多层晶圆气泡缺陷层析方法，包括以下步骤：(1)记录晶圆上表面产生的透射热波的变化，以得到温度矩阵序列；(2)对温度矩阵序列进行处理以提取每条序列对应的激光激励频率的相位值，并重构出一张锁相相位图，再基于锁相相位图进行晶圆键合界面气泡缺陷检测；然后计算缺陷位置相位值与激励信号初始相位差值，并对位于不同深度晶圆层界面的气泡缺陷进行标定，将对应的温度矩阵序列转换为深度方向的断层锁相相位图序列，以建立相应的相位差‑深度标定曲线，进而基于相位差‑深度标定曲线对待测晶圆进行气泡缺陷检测及气泡缺陷深度的确定。本发明提高了检测速度及精度。
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公开(公告)号：CN114937708A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210578460.7
申请日：2022-05-25
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本发明属于X射线探测器相关技术领域，其公开了一种全钙钛矿X射线间接探测器及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基体的一个表面上制备多个间隔设置的微通道，以得到微通道阵列结构，再将钙钛矿纳米晶量子点液体填充到微通道中，以得到钙钛矿微通道阵列；(2)在所述基体远离所述微通道阵列的表面上制备钙钛矿可见光敏层，并在所述钙钛矿微通道阵列上原位制备钙钛矿闪烁体，从而得到全钙钛矿X射线间接探测器。本发明顶层钙钛矿闪烁体吸收X射线完成荧光转换，同时引入微通道阵列结构设计以加强荧光轴向传输、抑制荧光横向串扰传输；底层钙钛矿可见光敏层薄膜吸收荧光完成光电转化。
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公开(公告)号：CN114744000A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210218412.7
申请日：2022-03-04
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L27/146 , C23C28/00
摘要： 本发明涉及基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法，属于微纳制造与光电子器件相关技术领域。制备方法包括：(1)在刚性衬底表面沉积剥离层，在剥离层表面涂敷柔性基底；(2)在柔性基底表面沉积绝缘层，通过光刻方法在绝缘层上制得金属电极阵列；(3)通过微喷印将原子级厚度硫化钼复合薄膜喷涂于金属电极沟道之间；(4)对柔性器件阵列进行剪裁，将其从刚性衬底上剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器件。本发明采用微喷印的方法将硫化钼复合薄膜转移到各像元处，具有薄膜涂覆均匀，像元质量高、节约材料、工艺简单、成本低等明显优势。
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