本发明提供一种反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括隔热腔体、第一加热体、第二加热体和隔离防护结构，第一加热体和第二加热体间隔设置在隔热腔体中，第二加热体上设置有用于承载晶圆的承载装置；隔离防护结构设置在隔热腔体中，且位于第一加热体和第二加热体之间，围成一反应空间，并将第一加热体和第二加热体与反应空间隔离开，隔离防护结构靠近第二加热体一侧设置有开口，承载装置的承载面暴露在反应空间中；隔热腔体的两侧侧壁上分别设置有进气口和出气口，进气口和出气口与反应空间相连通。本发明提供的反应腔室及半导体工艺设备的技术方案，可以减少加热体上附着的反应副产物，从而可以提高设备维护效率，降低设备维护成本。