公开(公告)号：CN118083983A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211490608.8

申请日：2022-11-25

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 焦芳 ,  张磊 ,  吴周礼 ,  刘广政 ,  杨牧龙

IPC分类号： C01B32/984 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本申请公开了一种含氮的碳化硅粉料的制备方法及碳化硅晶体的生长方法，涉及碳化硅晶体制备领域。一种含氮的碳化硅粉料的制备方法包括：将硅原料和碳原料按预设摩尔比充分混合，得到混合物原料；将放置有混合物原料的加热容器置于反应设备中；对反应设备抽真空，加热；向反应设备内通入保护气体以及氮气，继续加热升高反应设备内的温度，使碳原料和硅原料发生反应，降温，得到含氮的碳化硅粉料。一种碳化硅晶体的生长方法包括：将上述含氮的碳化硅粉料置于加热容器中并加热，加热容器内的含氮的碳化硅粉料升华后在加热容器顶部的碳化硅籽晶处结晶，得到碳化硅晶体。本申请能够解决碳化硅晶体电阻率均匀性较差引起缺陷的问题。

公开(公告)号：CN113604795B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202110830608.7

申请日：2021-07-22

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 李世凯 ,  董博宇 ,  袁福顺 ,  王磊磊 ,  李晓军 ,  赵东华 ,  刘广政 ,  徐柯柯 ,  刘晶晶 ,  孙小芹 ,  宫兆辉 ,  贾万泳 ,  许利飞 ,  董学 ,  王铁然

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10

摘要： 本发明提供一种反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括隔热腔体、第一加热体、第二加热体和隔离防护结构，第一加热体和第二加热体间隔设置在隔热腔体中，第二加热体上设置有用于承载晶圆的承载装置；隔离防护结构设置在隔热腔体中，且位于第一加热体和第二加热体之间，围成一反应空间，并将第一加热体和第二加热体与反应空间隔离开，隔离防护结构靠近第二加热体一侧设置有开口，承载装置的承载面暴露在反应空间中；隔热腔体的两侧侧壁上分别设置有进气口和出气口，进气口和出气口与反应空间相连通。本发明提供的反应腔室及半导体工艺设备的技术方案，可以减少加热体上附着的反应副产物，从而可以提高设备维护效率，降低设备维护成本。

公开(公告)号：CN118704087A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202310308575.9

申请日：2023-03-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 刘晶晶 ,  邓晓军 ,  刘广政 ,  田惺哲

IPC分类号： C30B25/16 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C30B25/14 ,  C30B25/08 ,  C30B29/36

摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备及其气动阀控制方法，属于半导体工艺技术。该气动阀控制方法包括以下步骤：获取当前工艺步骤中需要同时执行完同一气动阀动作指令的多个气动阀，并得到每个气动阀对应气动阀动作指令的响应时长；根据多个气动阀的响应时长中的最长响应时长，计算每个气动阀的指令下发延时值；根据每个气动阀的指令下发延时值，按时间先后向每个气动阀发出相应的气动阀动作指令，以控制多个气动阀同时执行完同一气动阀动作指令。本技术方案，其可很好地实现多个气动阀同时开启或同时关闭，确保工艺气源能同步进入工艺腔室，以在工艺腔室中得到充分反应，进而大大提升工艺气源的利用率的同时，提高整个工艺过程的工艺质量。

公开(公告)号：CN118547262A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202310181320.0

申请日：2023-02-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 孙其其 ,  刘广政 ,  邓晓军

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/46

摘要： 本申请公开了一种反应腔室，涉及半导体装备领域。一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，所述反应腔室包括：沿第一方向相对设置的第一加热体和第二加热体；所述第一加热体与所述第二加热体之间具有用于容纳晶圆的反应腔体，所述反应腔体沿第二方向的两侧分别设有进气端和尾气端；所述第一加热体包括沿所述第二方向延伸的管状的加热壁和位于所述加热壁内的中空腔体，以所述中空腔体面向所述反应腔体一侧的所述加热壁为第一壁，所述第一壁的邻近所述进气端的区域在所述第一方向上的厚度，大于所述第一壁的邻近所述尾气端的区域在所述第一方向上的厚度。本申请能够解决反应腔进气端温度高于尾气端温度而导致晶圆的外延层厚度均匀性较差等问题。

公开(公告)号：CN113604795A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110830608.7

申请日：2021-07-22

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 李世凯 ,  董博宇 ,  袁福顺 ,  王磊磊 ,  李晓军 ,  赵东华 ,  刘广政 ,  徐柯柯 ,  刘晶晶 ,  孙小芹 ,  宫兆辉 ,  贾万泳 ,  许利飞 ,  董学 ,  王铁然

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10

摘要： 本发明提供一种反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括隔热腔体、第一加热体、第二加热体和隔离防护结构，第一加热体和第二加热体间隔设置在隔热腔体中，第二加热体上设置有用于承载晶圆的承载装置；隔离防护结构设置在隔热腔体中，且位于第一加热体和第二加热体之间，围成一反应空间，并将第一加热体和第二加热体与反应空间隔离开，隔离防护结构靠近第二加热体一侧设置有开口，承载装置的承载面暴露在反应空间中；隔热腔体的两侧侧壁上分别设置有进气口和出气口，进气口和出气口与反应空间相连通。本发明提供的反应腔室及半导体工艺设备的技术方案，可以减少加热体上附着的反应副产物，从而可以提高设备维护效率，降低设备维护成本。