本发明涉及一种三相逆变功率模块的嵌入式封装结构及其增材制造工艺，该结构包括：由IGBT芯片和续流二极管芯片组成的功率单元，由中间开槽的氮化铝陶瓷底板、制作有图形化通孔的氮化铝陶瓷顶盖、上下铜导电层、导电铜柱共同构成的封装辅助单元，以及铜底铝翅片散热器和石墨烯基导热块构成的散热单元。本发明采用增材制造工艺，将功率芯片嵌入陶瓷基板内部，从而增强模块内部水平方向的热传导；同时，在氮化铝陶瓷底板和陶瓷顶盖外围制作石墨烯基导热块，使横向传导出来的热量通过导热块传递给铜底铝翅片散热器，从而增加功率芯片的散热路径。