本发明公开了一种基于脉冲法的β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述β‑Ga2O3薄膜包括：同质衬底层、至少一个脉冲β‑Ga2O3层和至少一个β‑Ga2O3层；所述脉冲β‑Ga2O3层的数量与所述β‑Ga2O3层的数量相同；所述同质衬底层与所述β‑Ga2O3层之间生长有脉冲β‑Ga2O3层；每两个所述β‑Ga2O3层之间生长有脉冲β‑Ga2O3层。本发明能够基于脉冲法，在同质衬底层外延生长高质量，低位错密度的β‑Ga2O3薄膜。