发明授权
- 专利标题： 半导体发光器件及其制造方法
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申请号： CN202110760597.X申请日： 2021-07-06
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公开(公告)号： CN113644550B公开(公告)日： 2023-02-14
- 发明人: 单静春 , 李中坤 , 王定理 , 黄晓东 , 汤宝
- 申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 专利权人： 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人： 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 张雪; 张颖玲
- 主分类号： H01S5/30
- IPC分类号： H01S5/30 ; H01S5/20 ; H01L33/14 ; H01L33/00
摘要：
本申请实施例公开了一种半导体发光器件及其制造方法，其中，所述半导体发光器件包括：下包层；位于所述下包层上的有源层；位于所述有源层上的上包层；以及，位于所述上包层上的欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层至少覆盖所述上包层表面中的第一区域，且未覆盖全部的所述上包层表面；所述第一区域为电流注入窗口在所述上包层表面的投影所在的区域。
公开/授权文献
- CN113644550A 半导体发光器件及其制造方法 公开/授权日：2021-11-12