- 专利标题： n型半导体元件、n型半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签
-
申请号： CN202080024545.X申请日： 2020-03-06
-
公开(公告)号： CN113646899B公开(公告)日： 2024-03-12
- 发明人: 矶贝和生 , 小林康宏 , 村濑清一郎
- 申请人： 东丽株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东丽株式会社
- 当前专利权人： 东丽株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 王磊; 段承恩
- 国际申请： PCT/JP2020/009668 2020.03.06
- 国际公布： WO2020/195707 JA 2020.10.01
- 进入国家日期： 2021-09-26
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/28 ; H01L21/283 ; H01L21/336 ; H01L21/8234 ; H01L27/06 ; H10K10/00 ; H10K85/20
摘要：
本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1个共轭体系直接键合的结构，B.含有下述高分子，所述高分子在其分子结构中含有从化合物(a)的R1、R2、R3或R4除去一部分氢原子而得的残基或者含有从化合物(a)的碳‑碳双键或共轭体系除去一部分氢原子而得的残基。#imgabs0#
公开/授权文献
- CN113646899A n型半导体元件、n型半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签 公开/授权日：2021-11-12
IPC分类:
