公开(公告)号：CN105408245A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480041646.2

申请日：2014-07-17

申请人： 东丽株式会社

发明人： 村濑清一郎 ,  矶贝和生 ,  清水浩二

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/72 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  G01N27/4146 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/105 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/932

摘要： 本发明涉及一种碳纳米管复合体，其为在表面的至少一部分上附着有有机基团的碳纳米管复合体，其中，在所述碳纳米管复合体的至少一部分中含有选自羟基、羧基、氨基、巯基、磺基、膦酸基、它们的有机盐或无机盐、甲酰基、马来酰亚胺基和琥珀酰亚胺基中的至少一种官能团。

公开(公告)号：CN112672977B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201980058884.7

申请日：2019-09-17

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  田中龙一 ,  西野秀和

IPC分类号： C01B32/174 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20 ,  H10K71/00

摘要： 本发明的课题在于提供能够通过喷墨而精度良好地涂布于所期望的位置的碳纳米管复合体及使用其的分散液,主旨为碳纳米管复合体,其为在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体,上述共轭系聚合物具有通式(1)表示的侧链。通式(1)中，R表示亚烷基或亚环烷基。X表示单键、亚烯基、亚炔基、亚芳基或亚杂芳基。A表示烷基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、杂芳氧基羰基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基或杂芳基羰基氧基

公开(公告)号：CN113646900A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080024703.1

申请日：2020-03-06

申请人： 东丽株式会社

发明人： 小林康宏 ,  矶贝和生 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的课题是以简便的工艺提供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件，本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层含有(a)真空中的电离电位为7.0eV以下的化合物和(b)高分子。

公开(公告)号：CN113874424B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202080038205.2

申请日：2020-06-02

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  田中龙一

IPC分类号： C08J3/09 ,  C08L65/00 ,  C08K3/04 ,  C09D165/00 ,  C09D7/61 ,  C09D11/30 ,  C09D11/38 ,  C01B32/174

摘要： 本发明的课题在于提供能够通过喷墨而精度良好地涂布于所期望位置的碳纳米管分散液，主旨为碳纳米管分散液，其至少含有在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体；和溶剂，上述共轭系聚合物具有通式(1)表示的侧链，上述溶剂为单一溶剂或混合溶剂，粘度为5～40cP，且含有沸点为150～290℃的溶剂或蒸气压为0.9～500Pa的溶剂。(通式(1)中，R1表示亚烷基或亚环烷基。X表示单键、亚烯基等。A表示羟基、烷基硫基等。)

公开(公告)号：CN113646899A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080024545.X

申请日：2020-03-06

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  小林康宏 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1个共轭体系直接键合的结构，B.含有下述高分子，所述高分子在其分子结构中含有从化合物(a)的R1、R2、R3或R4除去一部分氢原子而得的残基或者含有从化合物(a)的碳‑碳双键或共轭体系除去一部分氢原子而得的残基。

公开(公告)号：CN107923867B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201680046302.X

申请日：2016-08-08

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  清水浩二

IPC分类号： G01N27/414 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的课题在于提供作为传感器使用时具有高检测敏感度的半导体元件。本发明涉及半导体元件，其含有有机膜、第1电极、第2电极及半导体层，前述第1电极、前述第2电极及前述半导体层形成于前述有机膜上，前述半导体层被配置于前述第1电极与前述第2电极之间，前述半导体层含有碳纳米管，水相对前述有机膜的接触角为5度以上且50度以下。

公开(公告)号：CN113646900B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080024703.1

申请日：2020-03-06

申请人： 东丽株式会社

发明人： 小林康宏 ,  矶贝和生 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的课题是以简便的工艺提供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件，本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层含有(a)真空中的电离电位为7.0eV以下的化合物和(b)高分子。

公开(公告)号：CN110402483A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880019795.7

申请日：2018-02-28

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  崎井大辅

IPC分类号： H01L21/336 ,  C01B32/158 ,  H01L21/208 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的课题在于，提供不随时间劣化、稳定且具有n型半导体特性的半导体元件；主旨是半导体元件，其具有：基材；源电极、漏电极和栅电极；与前述源电极和漏电极接触的半导体层；将前述半导体层与前述栅电极绝缘的栅绝缘层；以及在前述半导体层的与前述栅绝缘层相反侧与前述半导体层接触的第2绝缘层，前述半导体层含有碳纳米管，前述第2绝缘层含有具有选自氮原子和磷原子中的任一种以上的供电子性化合物，前述第2绝缘层的透氧度为4.0cc/(m2·24h·atm)以下。

公开(公告)号：CN108780843A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018514.1

申请日：2017-04-12

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  长尾和真

IPC分类号： H01L51/05 ,  G01N27/414 ,  H01L51/30

CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L51/05

摘要： 半导体元件，其是含有基板、第一电极、第二电极及半导体层、并且上述半导体层配置于上述第一电极与上述第二电极之间而成的半导体元件，其中，上述半导体层含有选自碳纳米管及石墨烯中的一种以上，上述半导体元件的沟道长度LC及沟道宽度WC的关系为0.01≤WC/LC≤0.8。提供开关特性优异的半导体元件、及用作传感器时具有高的检测灵敏度的半导体元件。

公开(公告)号：CN113646899B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202080024545.X

申请日：2020-03-06

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  小林康宏 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H10K10/00 ,  H10K85/20

摘要： 本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1个共轭体系直接键合的结构，B.含有下述高分子，所述高分子在其分子结构中含有从化合物(a)的R1、R2、R3或R4除去一部分氢原子而得的残基或者含有从化合物(a)的碳‑碳双键或共轭体系除去一部分氢原子而得的残基。#imgabs0#