存储器电路包括位于第一层上的第一存储器单元、位于与第一层不同的第二层上的第二存储器单元、位于与所述第一层和所述第二层不同的第三层上的第一选择晶体管、第一位线、第二位线和第一源极线。第一位线在第一方向上延伸，并且耦合到第一存储器单元、第二存储器单元和第一选择晶体管。第二位线在第一方向上延伸，并耦合到第一选择晶体管。第一源极线在第一方向上延伸，耦合到第一存储器单元和第二存储器单元，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一位线分离。本发明的实施例还涉及操作存储器电路的方法。