发明公开
- 专利标题： 半导体结构及半导体结构的形成方法
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申请号： CN202010413830.2申请日： 2020-05-15
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公开(公告)号： CN113675089A公开(公告)日： 2021-11-19
- 发明人: 郑二虎
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; B82Y40/00 ; B82Y10/00
摘要：
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互分立的叉形结构，相邻的叉形结构之间具有第一开口，每个叉形结构包括位于衬底表面的鳍部结构，以及位于所述鳍部结构上的复合纳米片结构，所述叉形结构具有贯穿所述复合纳米片结构的第二开口，并且所述第二开口延伸至所述鳍部结构内，所述第二开口的深度小于所述第一开口的深度；在所述第二开口内形成隔离结构。从而，改善了半导体结构的性能。
公开/授权文献
- CN113675089B 半导体结构及半导体结构的形成方法 公开/授权日：2024-09-17
IPC分类:
