- 专利标题: 一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法
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申请号: CN202111000287.4申请日: 2021-08-25
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公开(公告)号: CN113697765B公开(公告)日: 2023-10-13
- 发明人: 尹延昭 , 张鹏 , 孙权 , 于洋 , 周志炜 , 李修钰
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 李靖
- 主分类号: B81B7/00
- IPC分类号: B81B7/00 ; B81B7/02 ; B81C1/00 ; G01L13/00
摘要:
一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低,测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接;波纹膜片安在波纹膜片接触面上,压环压装在波纹膜片上,隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内,硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的两个压力谐振器实现差压测量。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
公开/授权文献
- CN113697765A 一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法 公开/授权日:2021-11-26