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公开(公告)号：CN106996797A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710303174.9
申请日：2017-05-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种光纤传感探头，属于光纤传感技术领域，其要解决的问题是：现有反射式强度调制型光纤传感器可检测的动态信号的动态范围小，频率范围小，信噪比低；现有反射式强度调制型光纤传感器用于检测静态或者准静态信号时，其检测结果的精度低，且易受光源强度变化和环境温度变化的影响。本发明的主要内容为：第一发射端的纤芯上刻有光纤光栅，压力敏感膜片将经第一发射端出射的光信号反射至第一接收端和第二接收端，在压力敏感膜片偏离初始位置时，入射至第一接收端的光信号与入射至第二接收端的光信号能够构成差分信号。第二发射端的端面与压力敏感膜片的反射面构成法布里‑珀罗干涉腔。本发明适用于光纤传感器。
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公开(公告)号：CN105203088B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510590106.6
申请日：2015-09-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01C17/28
摘要： 一种三维磁感式磁罗经，涉及属于磁导航、定位等技术领域。本发明是为了解决国内磁感效应原理磁罗经传感器缺失的问题。本发明所述的一种三维磁感式磁罗经以磁感效应为基础，并运用现代数字信号处理技术，采用FPGA和DSP模块化设计方法，实现对传感器的信号提取工作。采用脉冲信号激励替代传统的方波激励方式，可有效降低了磁传感器检测电路的功耗。三维磁感应传感器采用集成三维磁芯结构，有效降低传感器的正交偏差，并利用FPGA实现三维磁信号高速同步采集处理，提高了磁罗经的航向角检测精度。磁感应传感器激励采用脉冲激励方法降低器件功耗，同时磁罗经采用DSP处理器进行智能磁补偿和姿态自补偿技术，使磁罗经具有较好的环境适应能力。
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公开(公告)号：CN104457730B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410850412.4
申请日：2014-12-31
申请人： 哈尔滨工程大学 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01C19/62
摘要： 一种微结构核磁共振陀螺仪，属于原子传感器领域。为了解决现有的核磁共振陀螺仪测量范围小、体积大不适用微结构惯导系统问题。所述陀螺仪包括微结构原子气室和核磁共振陀螺仪功能外壳；所述核磁共振陀螺仪功能外壳内的前侧和后侧分别设置有第一光源和第一光电探测器，所述核磁共振陀螺仪功能外壳内的左侧和右侧分别设置有第二光源和第二光电探测器，第一光源和第一光电探测器、第二光源和第二光电探测器形成的光路在前后与左右两个方向成正交结构，所述微结构原子气室位于核磁共振陀螺仪功能外壳的底部中心位置，且所述中心位置为所述正交结构的交点处。本发明用于惯性导航定位系统中。
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公开(公告)号：CN106248113A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610751801.0
申请日：2016-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 本发明所述的一种光纤传感探头，涉及光纤传感技术领域，解决了现有的反射式强度调制型光纤传感器可测量信号的动态范围小，频率范围小和信噪比低的问题。本发明的方案为：声压敏感膜片设置在壳体的开口端。发射光纤的一端与光源相连，其另一端为发射端。第一接收光纤的一端和第二接收光纤的一端均与光电探测器相连，第一接收光纤的另一端和第二接收光纤的另一端分别为第一接收端和第二接收端。发射端、第一接收端和第二接收端均位于壳体的内部。声压敏感膜片能够将经发射端出射的光信号反射至第一接收端和第二接收端。入射至第一接收端的光信号与入射至第二接收端的光信号能够构成差分信号。本发明适用于光纤传感器。
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公开(公告)号：CN104591080B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510060998.9
申请日：2015-02-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 一种提高金-金热压键合强度的方法，它涉及一种提高金-金热压键合强度的方法。本发明是要解决现有硅微机械传感器利用高温高压进行金-金热压键合，在器件键合面积及键合设备提供压力一定情况下因为作用在键合面上的压力过小无法实现键合的问题。方法：加速度传感器上电极和下电极金属层制作通过两次光刻工艺制作完成，第一次光刻完成器件所需的设计图形，第二次光刻完成进行金-金热压键合所需的图形，金-金热压键合图形面积远小于器件设计图形面积。本发明用于提高金-金热压键合强度。
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公开(公告)号：CN105005087A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510443458.9
申请日：2015-07-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01V7/02
摘要： 一种抗干扰的单轴重力梯度仪，涉及单轴重力梯度仪，用于对地球外部空间重力场的深入研究，本发明是为了解决重力梯度仪精度低、空间分辨率小和抗干扰性差的问题。本发明中的敏感元件组包括质量块、敏感元件机体外壳和两个同轴的圆柱形弹性支架，梯度感应器固定在质量块的四个角处；两个弹性支架分别位于质量块上下两端，并且均与质量块和敏感元件机体外壳固定连接，质量块能够以弹性支架为轴做微角度旋转。本发明实现了同一平面两个相反方向上重力梯度的准确测量，减少了其他方向重力场对测量的影响，测量精度和空间分辨率是传统重力梯度仪的几十倍，适用于对重力场的测量。
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公开(公告)号：CN104852189A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510312851.4
申请日：2015-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： H01R13/40 , H01R13/502 , H01R13/02
CPC分类号： H01R13/40 , H01R13/02 , H01R13/502
摘要： 一种应用于4针圆形插头的空心插针式电连接器插座，属于电连接器插座领域。它包括圆筒形壳体、圆柱形绝缘体和4个插针接触体，圆筒形壳体内部形成相连通的绝缘腔体和空气腔体，圆柱形绝缘体嵌入在绝缘腔体内，4个插针接触体均插接在圆柱形绝缘体内，插针接触体的一端伸入到空气腔体内，插针接触体的另一端与圆柱形绝缘体的外端水平，圆柱形绝缘体的外端为其远绝缘腔体端；插针接触体为圆柱形结构，且其沿轴向方向上设有通孔，通孔内设有裸露导线，裸露导线穿过通孔，插针接触体的一端的端部呈圆台，裸露导线的焊接端焊接在插针接触体的一端上。它主要与4针圆形插头配套使用。
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公开(公告)号：CN1737511A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510010300.9
申请日：2005-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 本发明涉及水听器，具体为一种多片式组合集成型三维矢量水听器装置。其特点是：敏感基元(1)、信号处理单元(2)在基底(3)上，敏感基元(1)与信号处理单元(2)由导线(5)连接，灌封材料(4)将敏感基元(1)、信号处理单元(2)、基底(3)、导线(5)密封为不同维数的矢量水听器单元(8)；在一维、二维、三维矢量水听器单元(8)外有基座(7)，在基座(7)上固定压电薄膜(6)，在矢量水听器单元(8)与基座(7)之间有灌封材料(4)灌封为一个整体复合型矢量水听器。矢量水听器单元(8)为一维、二维、三维。本发明制作的水听器体积小，灵敏度大，具有多方向矢量检测能力，噪声小，成本低，在水声领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112670197B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011534616.9
申请日：2020-12-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，涉及一种ICP工艺对微小尺寸刻蚀深度及均匀性的检测方法。解决了现有检测ICP工艺刻蚀微小尺寸硅微结构的深度及均匀性的方法存在测量误差大，不方便连续进行刻蚀，费时费力的问题。本发明确定对晶圆背面的腐蚀深度；根据确定的腐蚀深度，采用各向异性湿法将晶圆每个单元的背面腐蚀出54.74°的斜坡结构；通过双面光刻对准技术，将待刻蚀区域与斜坡结构进行对准；在晶圆待刻蚀区域，采用ICP工艺进行固定线宽结构刻蚀，没有新的刻透结构产生，利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度，计算ICP工艺在该宽度时刻蚀的均匀性。本发明适用于检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性。
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公开(公告)号：CN113697765A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111000287.4
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内，硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的两个压力谐振器实现差压测量。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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