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公开(公告)号：CN113697765A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111000287.4
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内，硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的两个压力谐振器实现差压测量。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN113697760A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110981646.2
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种隔离封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低和温度漂移，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片为双芯片并安装在芯片粘接面上并留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安装在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN112670404A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011530124.2
申请日：2020-12-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 霍尔元件及霍尔元件的制备方法，涉及传感器技术领域。本发明是为了解决现有MEMS或IC工艺制作的霍尔元件由于引出电极不对称性和半导体材料的不均匀性导致的霍尔元件输出非线性和零点失调的问题。本发明所述霍尔元件包括一个八边形的霍尔功能层，所述八边形相对的两边长度相同且相互平行，霍尔功能层互不相邻的四条边上分别连接有一个电极，每个电极均设有电气连接端，其中两个电极的电气连接端作为霍尔元件的电压输入端，剩余两个电极的电气连接端作为霍尔元件的电压输出端。
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公开(公告)号：CN113697765B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111000287.4
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内，硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的两个压力谐振器实现差压测量。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN113697760B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202110981646.2
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种隔离封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低和温度漂移，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片为双芯片并安装在芯片粘接面上并留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安装在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN113697761B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110983367.X
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种隔离封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题，封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上并留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安装在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN113697761A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110983367.X
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种隔离封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题，封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上并留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安装在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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