- 专利标题: 基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器
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申请号: CN202110324071.7申请日: 2021-03-26
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公开(公告)号: CN113720469A公开(公告)日: 2021-11-30
- 发明人: 翟光杰 , 武佩 , 潘辉 , 翟光强
- 申请人: 北京北方高业科技有限公司
- 申请人地址: 北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301
- 专利权人: 北京北方高业科技有限公司
- 当前专利权人: 北京北方高业科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301
- 代理机构: 北京开阳星知识产权代理有限公司
- 代理商 安伟
- 主分类号: G01J5/20
- IPC分类号: G01J5/20 ; G01J5/22
摘要:
本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器,该像元包括:CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构,采用全CMOS工艺制备;CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构,柱状结构位于反射层和红外转换结构之间;反射层包括反射板和支撑底座,红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接;红外转换结构包括吸收板和梁结构,吸收板通过梁结构与柱状结构电连接;柱状结构包括至少两层立柱,每层立柱均可为实心金属柱、非金属实心柱或空心柱中的至少一种;像元还包括加固结构,用于增强柱状结构与红外转换结构之间的连接稳固性。解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低,像素规模低,良率低等问题;且灵敏度高、稳定性好。
公开/授权文献
- CN113720469B 基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器 公开/授权日:2022-12-02