公开(公告)号：CN113644158B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202110914145.2

申请日：2021-08-10

申请人： 苏州矩阵光电有限公司

发明人： 朱忻

IPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  H01L25/16 ,  H01L31/18 ,  G01J5/22

摘要： 本发明的实施例公开了一种上入光式红外传感器元件及其制造方法，所述上入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，所述至少一个化合物半导体叠层能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从所述至少一个化合物半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接。本发明属于半导体技术领域。该上入光式红外传感器元件可在室温下工作，不易受暗电流、电磁噪声以及热波动的影响，结构紧凑。

公开(公告)号：CN113629164B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202110913917.0

申请日：2021-08-10

申请人： 苏州矩阵光电有限公司

发明人： 朱忻

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01J5/22

摘要： 本发明的实施例公开了一种下入光式红外传感器元件及其制造方法，所述下入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接，所述基板上设置有至少一个光学窗以允许入射光穿过进入到至少一个化合物半导体叠层中。本发明属于半导体技术领域。下入光式红外传感器元件可在室温下工作，不易受暗电流、电磁噪声以及热波动的影响，且结构紧凑。

公开(公告)号：CN114353957B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202111667077.0

申请日：2021-12-30

申请人： 无锡物联网创新中心有限公司

发明人： 傅剑宇 ,  瞿帆 ,  侯影 ,  杜祥雷 ,  陈大鹏

IPC分类号： G01J5/22

摘要： 本发明涉及探测器技术领域，具体公开了一种二极管型非制冷红外探测器，其中，包括：敏感单元、支撑梁和框架，所述敏感单元和所述支撑梁悬空设置在所述框架内，且所述敏感单元的端部通过所述支撑梁与所述框架的侧壁连接；所述敏感单元内设置有N合一二极管，其中N≥3，所述支撑梁内设置导线，所述N合一二极管与所述导线电气连接。本发明提供的二极管型非制冷红外探测器在保持大的结面积的基础上尽可能多的增加串联二极管的个数，使得该二极管能够在小像素的情况下有效提升电压温度灵敏度，从而优化红外探测器的整体性能，具有工艺易于实现，结构简单，性能优良的特点。

公开(公告)号：CN114295222A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111562323.6

申请日：2021-12-18

申请人： 复旦大学

发明人： 梅永丰 ,  吴斌民 ,  张子煜

IPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/22 ,  G01J5/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法。本发明管状测辐射热计包括：使用磁控溅射在带有热氧化硅的高阻硅片上生长的具有内应力梯度氧化钒薄膜；在图形化之后的氧化钒薄膜上制备的电极；带有电极的氧化钒薄膜为管状结构。当红外光照射在管状氧化钒薄膜上时，入射光辐射功率在氧化钒薄膜内转化为热，使得氧化钒薄膜的电阻减小，由外加在电极上的恒定电压读出光谱信号。该器件可在室温条件下实现灵敏的广角、宽光谱探测。本发明可作为传统薄膜测辐射热计的有力补充，且工艺流程简单、成本低，将在非制冷红外焦平面的发展与应用中具有较强的实际意义。

公开(公告)号：CN113644158A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110914145.2

申请日：2021-08-10

申请人： 苏州矩阵光电有限公司

发明人： 朱忻

IPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  H01L25/16 ,  H01L31/18 ,  G01J5/22

摘要： 本发明的实施例公开了一种上入光式红外传感器元件及其制造方法，所述上入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，所述至少一个化合物半导体叠层能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从所述至少一个化合物半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接。本发明属于半导体技术领域。该上入光式红外传感器元件可在室温下工作，不易受暗电流、电磁噪声以及热波动的影响，结构紧凑。

公开(公告)号：CN112649094A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011173247.5

申请日：2020-10-28

申请人： 深圳市吉迩科技有限公司

发明人： 朱旦 ,  廖振龙 ,  周勇

IPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/22 ,  G05D23/20

摘要： 本发明涉及气溶胶产生装置技术领域，具体公开了一种调温方法及气溶胶产生装置，其中调温方法包括：获取所述发热载体的初始电阻值和预设温度，根据初始电阻值与发热体温度系数换算出所述预设温度对应的加热电阻值；所述控制器根据所述加热电阻值为所述发热载体输出第一发热功率，以使所述发热载体产生实际温度，所述恒温系数电路根据所述实际温度获取所述发热载体的实际加热电阻值，所述控制器根据所述实际加热电阻值为所述发热载体输出第二发热功率，以使所述发热载体维持所述实际温度处于所述预设温度。该方式获取发热体载体的温度更精准，可避免硬件发生故障、老化或氧化导致的数据检测不准确等问题，且监测过程较稳定，不易被干扰。

公开(公告)号：CN112362169A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202010941154.6

申请日：2020-09-09

申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司

发明人： 洪立福 ,  陈丹 ,  马占锋 ,  高健飞 ,  黄立

IPC分类号： G01J5/22 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明涉及一种非制冷红外探测器及其像元、参考元以及其制备方法，像元包括衬底以及桥面层，衬底上端的左右两侧分别设有桥腿，桥腿通过第一支撑腿支撑在衬底上端，桥面层的左右两侧分别通过第二支撑腿对应支撑在左右两侧的桥腿上端，衬底的上端面上设有反射层，反射层与桥面层之间形成谐振腔，桥面层、桥腿、第一支撑腿、第二支撑腿内均设有导电材料，桥面内的导电材料分别与热敏感层、第二支撑腿内的导电材料电连接，第二支撑腿内的导电材料与桥腿内的导电材料电连接，桥腿内的导电材料通过第一支撑腿内的导电材料与衬底的读出电路电连接。本发明设计和制备了高性能小尺寸非制冷红外芯片，有效的提高了非制冷红外芯片性能。

公开(公告)号：CN106441596B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610635886.6

申请日：2016-08-04

申请人： 深圳通感微电子有限公司

发明人： 黄伟林

IPC分类号： G01J5/22

摘要： 本发明公开了一种阵列红外热电堆传感装置及传感方法，该装置包括传感模块，与外部探测区域相对应，传感模块包括多个探测单元，多个探测单元的探测范围将探测区域划分为多个分区域，每个探测单元感应温度数据并分别输出响应信号；处理模块根据响应信号分析探测区域中各分区域的温差变化数据，并在温差变化数据超过一跳变阈值时，输出探测区域内有目标对象出现的判断信号。本发明的阵列红外热电堆传感装置及传感方法中，将探测区域划分为多个分区域并进行温度数据感应，并在温差变化数据超过一跳变阈值时，输出探测区域内有目标对象出现的判断信号，从而通过对探测单元数量及响应信号的跳变量进行控制，实现对整个探测区域内的人体存在式监控。

公开(公告)号：CN104535198B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510023632.4

申请日：2015-01-16

申请人： 电子科技大学

发明人： 许向东 ,  敖天宏 ,  蒋亚东 ,  姚洁 ,  范凯 ,  陈哲耕 ,  邹蕊矫 ,  王蒙 ,  何琼

IPC分类号： G01J5/22

摘要： 本发明公开了种基于超材料的太赫兹微测辐射热计及其制备方法,由超材料太赫兹吸收器和热探测器两部分组成。其中,热探测器包含微桥支撑层、热敏电阻薄膜、金属电极和钝化层四层材料。超材料太赫兹吸收器包含底层金属膜、中间介质层、顶层金属膜三层材料。本发明将超材料太赫兹吸收器与热探测器集成在起,把超材料吸收太赫兹辐射产生的热量传递给热探测器,使热敏电阻薄膜的电学性能发生变化,由此实现太赫兹室温探测成像。本专利提供的微桥结构及制备工艺克服了微桥因超材料的加入而引起的形变等问题,使微测辐射热计具有高的力学稳定性和高的太赫兹吸收率。本发明解决了传统的微测辐射热计难于探测太赫兹波的缺陷,而且器件采用传统的微加工技术制备,适合产业化生产。

公开(公告)号：CN107271055A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201610247486.8

申请日：2016-04-20

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 徐军 ,  何德勇 ,  易波

IPC分类号： G01J5/22

CPC分类号： G01J5/22

摘要： 本发明涉及一种并行雪崩光电二极管阵列结构的红外单光子探测系统，包括并行APD阵列驱动电路，其输出端与并行APD阵列的输入端相连，并行APD阵列的输出端与信号探测电路的输入端相连，信号探测电路的输出端与模数转换电路的输入端相连，信号模数转换电路的输出端与信号处理电路的输入端相连，信号处理电路的输出端与数字信号输出电路的输入端相连。本发明使用并行APD阵列将单光子信号转换成雪崩电信号，利用直流偏置电压电路使并行APD阵列工作于盖革模式，利用高速脉冲门控时序信号电路以及多通道光开关实现并行APD阵列的通道时序切换功能，减小了APD器件的死时间，克服了探测器的后脉冲效应，有效提高探测器的工作频率和探测效率。