发明公开
- 专利标题： 一种高防护等级单向可控硅静电防护器件及其制作方法
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申请号： CN202010489564.1申请日： 2020-06-02
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公开(公告)号： CN113764402A公开(公告)日： 2021-12-07
- 发明人: 董鹏 , 李婕妤 , 汪洋 , 金湘亮 , 李幸
- 申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
- 申请人地址： 湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
- 专利权人： 湖南静芯微电子技术有限公司
- 当前专利权人： 湖南静芯微电子技术有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
- 代理机构： 深圳市沈合专利代理事务所
- 代理商 沈祖锋
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/06 ; H01L29/74 ; H01L29/747 ; H01L21/332
摘要：
本发明公开了一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有第一N型深阱，第二N型深阱；第二N型深阱右侧设有P阱；第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区；第一N型深阱和第二N型深阱中间设有跨接的第四N+注入区；P阱内设有第三P+注入区和第三N+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区和第二N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第三P+注入区和第三N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。
IPC分类:
