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公开(公告)号：CN109950240B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910246362.1
申请日：2019-03-29
申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第一、第二N阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区，第二N阱中设有第四P+注入区、第四N+注入区，第二P+注入区横跨第一N阱和P型衬底，第三P+注入区横跨P型衬底和第二N阱；第二P+注入区与第三P+注入区之间设有第二、第三N+注入区；第一多晶硅栅位于第一、第二P+注入区之间；第二多晶硅栅位于第二、第三N+注入区之间；第三多晶硅栅位于第三、第四P+注入区之间。本发明在传统双向SCR中间嵌入NMOS管，通过给GATE不同的栅压调控器件的维持电压，可降低维持电压来箝住ESD脉冲。
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公开(公告)号：CN113764402A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010489564.1
申请日：2020-06-02
申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/74 , H01L29/747 , H01L21/332
摘要： 本发明公开了一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有第一N型深阱，第二N型深阱；第二N型深阱右侧设有P阱；第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区；第一N型深阱和第二N型深阱中间设有跨接的第四N+注入区；P阱内设有第三P+注入区和第三N+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区和第二N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第三P+注入区和第三N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。
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公开(公告)号：CN109950240A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910246362.1
申请日：2019-03-29
申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第一、第二N阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区，第二N阱中设有第四P+注入区、第四N+注入区，第二P+注入区横跨第一N阱和P型衬底，第三P+注入区横跨P型衬底和第二N阱；第二P+注入区与第三P+注入区之间设有第二、第三N+注入区；第一多晶硅栅位于第一、第二P+注入区之间；第二多晶硅栅位于第二、第三N+注入区之间；第三多晶硅栅位于第三、第四P+注入区之间。本发明在传统双向SCR中间嵌入NMOS管，通过给GATE不同的栅压调控器件的维持电压，可降低维持电压来箝住ESD脉冲。
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公开(公告)号：CN209461460U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201920429165.9
申请日：2019-03-29
申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本实用新型公开了一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第一、第二N阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区，第二N阱中设有第四P+注入区、第四N+注入区，第二P+注入区横跨第一N阱和P型衬底，第三P+注入区横跨P型衬底和第二N阱；第二P+注入区与第三P+注入区之间设有第二、第三N+注入区；第一多晶硅栅位于第一、第二P+注入区之间；第二多晶硅栅位于第二、第三N+注入区之间；第三多晶硅栅位于第三、第四P+注入区之间。本实用新型在传统双向SCR中间嵌入NMOS管，通过给GATE不同的栅压调控器件的维持电压，可降低维持电压来箝住ESD脉冲。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211858654U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202020990483.5
申请日：2020-06-02
申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/74 , H01L29/747 , H01L21/332
摘要： 本实用新型公开了一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有第一N型深阱，第二N型深阱；第二N型深阱右侧设有P阱；第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区；第一N型深阱和第二N型深阱中间设有跨接的第四N+注入区；P阱内设有第三P+注入区和第三N+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区和第二N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第三P+注入区和第三N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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