本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。