发明公开
- 专利标题： 大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用
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申请号： CN202010553969.7申请日： 2020-06-17
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公开(公告)号： CN113808911A公开(公告)日： 2021-12-17
- 发明人: 邢志伟 , 赵宇坤 , 边历峰 , 陆书龙
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号;
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号;
- 代理机构： 南京利丰知识产权代理事务所
- 代理商 王茹; 王锋
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/78
摘要：
本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。