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公开(公告)号：CN113782646A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010517504.6
申请日：2020-06-09
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y40/00 , B82Y10/00
摘要： 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
摘要： 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN113451108A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010213156.3
申请日：2020-03-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法，该方法包括：提供一外延衬底；在外延衬底上生长牺牲层；在牺牲层上层叠生长至少一层Al1‑nGanN外延层，其中，0＜n≤1；在Al1‑nGanN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列；刻蚀牺牲层，以将牺牲层上的外延结构整体剥离；将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜，本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量，也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外，外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小，而且外延生长过程中无需额外的催化剂，有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强，可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。
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公开(公告)号：CN112349804A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910726164.5
申请日：2019-08-07
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种柔性太阳能电池的制作方法，该方法包括如下步骤：在柔性塑料衬底上形成第一子电极层；在刚性衬底上形成外延层，在外延层的背向刚性衬底的一面上形成第二子电极层；将第一子电极层的背向柔性塑料衬底1的一面与第二子电极层的背向外延层的一面之间进行键合，以形成第一电极；去除刚性衬底。本发明解决了现有的柔性塑料衬底材料的耐热性较低，在生长Ⅲ‑Ⅴ太阳电池的外延层结构的时候容易挥发，生长困难，导致无法正常制作太阳电池的问题。
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公开(公告)号：CN113451108B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010213156.3
申请日：2020-03-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法，该方法包括：提供一外延衬底；在外延衬底上生长牺牲层；在牺牲层上层叠生长至少一层Al1‑nGanN外延层，其中，0＜n≤1；在Al1‑nGanN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列；刻蚀牺牲层，以将牺牲层上的外延结构整体剥离；将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜，本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量，也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外，外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小，而且外延生长过程中无需额外的催化剂，有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强，可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114899304A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110102381.4
申请日：2021-01-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种隐形压力传感器的制作方法，包括：形成具有压电特性的半导体纳米柱阵列，并在半导体纳米柱阵列中填充透明基质；在半导体纳米柱阵列的相对两侧上分别设置透明电极层，使每个半导体纳米柱分别与两个透明电极层电性连接。本发明还公开了一种隐形压力传感器。本发明解决了半导体压电传感器不易赋予透光性的问题。
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公开(公告)号：CN113314398A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110570556.4
申请日：2021-05-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/201 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/44
摘要： 提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。在本发明中，通过在GaP/Si衬底上外延生长GaP缓冲层、InP/InGaAs超晶格结构缓冲层以及InP缓冲层，可以获得高晶体质量的缓冲层，解决了Si衬底与InGaAs薄膜的晶格匹配问题，有效过滤衬底与InGaAs薄膜之间由于晶格失配引起的位错，较好的释放应力。
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公开(公告)号：CN111063747A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911358142.4
申请日：2019-12-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种低成本欧姆接触电极的制备方法，包括：提供一基底；在所述基底上设置一层带有电极图案的蓝膜；在所述蓝膜上表面旋涂银浆后，撕下所述蓝膜形成银浆电极，其中，所述银浆旋涂后同时覆盖所述蓝膜和所述基底；对银浆电极快速热退火处理，形成欧姆接触电极。本发明还提供了一种太阳电池。本发明在基底表面覆盖蓝膜后通过旋涂银浆形成银浆电极，可以实现在基底上制备出具有低电阻、高稳定性的欧姆接触电极，而且样品表面平整，制备工艺简单，与金属蒸镀工艺相比，电极成本骤降，未来可应用在太阳电池片上，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113314398B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110570556.4
申请日：2021-05-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/201 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/44
摘要： 提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。在本发明中，通过在GaP/Si衬底上外延生长GaP缓冲层、InP/InGaAs超晶格结构缓冲层以及InP缓冲层，可以获得高晶体质量的缓冲层，解决了Si衬底与InGaAs薄膜的晶格匹配问题，有效过滤衬底与InGaAs薄膜之间由于晶格失配引起的位错，较好的释放应力。
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公开(公告)号：CN209741126U
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201920088811.X
申请日：2019-01-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： C12M1/00
摘要： 本实用新型公开了一种人工光合作用系统。所述人工光合作用系统包括相互电连接的光阳极和光阴极，所述光阳极、光阴极分别与第一反应液、第二反应液配合，第一反应液与第二反应液之间经离子交换膜连通，光阳极包括半导体结构及与半导体结构键合的光伏电池单元，光阳极至少能够在第一反应液内促成H2O的光催化分解，光阴极包括纳米线以及与纳米线接触的生物助催化剂，并且光阴极至少能够在第二反应液内促成CO2的还原。本实用新型的人工光合作用系统可提高光利用率及载流子传导，进而提高光合作用还原效率；拓宽了半导体材料和生物相结合的光催化领域的应用，可以有效解决常用于光催化的氧化物材料转换效率低和稳定性差的问题。
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