发明授权
- 专利标题： 二维硫化铼光电探测器及制备方法
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申请号： CN202111051057.0申请日： 2021-09-08
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公开(公告)号： CN113937175B公开(公告)日： 2024-06-11
- 发明人: 吴章婷 , 曾培宇 , 张阳 , 郑鹏 , 郑梁
- 申请人： 杭州电子科技大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市下沙高教园区二号路
- 专利权人： 杭州电子科技大学
- 当前专利权人： 杭州电子科技大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市下沙高教园区二号路
- 代理机构： 浙江永鼎律师事务所
- 代理商 陆永强
- 主分类号： H01L31/032
- IPC分类号： H01L31/032 ; H01L31/102 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种二维硫化铼光电探测器及制备方法，至少包括衬底层以及在所述衬底层形成的绝缘层，所述绝缘层上设置二维硫化铼层，并设置与所述二维硫化铼层相连接的电极作为源极和漏极，所述二维硫化铼层上通过掺杂形成四氰二甲基对苯醌层。本发明通过大分子F4‑TCNQ对ReS2进行表面修饰调控其性能，得到多种性能组合的ReS2光电探测器，包括高响应度和高灵敏的ReS2光电探测器。
公开/授权文献
- CN113937175A 二维硫化铼光电探测器及制备方法 公开/授权日：2022-01-14
IPC分类:
