Invention Publication
- Patent Title: 介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元
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Application No.: CN202110155931.9Application Date: 2021-02-04
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Publication No.: CN113963951APublication Date: 2022-01-21
- Inventor: 郑太远 , 朴贤哲 , 梁大珍 , 丁度源 , 赵奇迎
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 金拟粲
- Priority: 10-2020-0090571 20200721 KR
- Main IPC: H01G4/232
- IPC: H01G4/232 ; H01G4/30 ; H01L27/11507
Abstract:
提供介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元，所述介电材料包括由式1表示的化合物，其中，在式1中，M为第2族元素，A为三价元素，以及0
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