-
公开(公告)号：CN114388693A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110709375.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质材料以及包括其的器件和存储设备。根据一个方面，提供电介质材料，其具有由式1表示的组成： (100‑x‑y)BaTiO3·xBiREO3·yABO3。其中，在式1中，RE为稀土金属，A为碱金属，B为五价过渡金属，并且满足0
-
公开(公告)号：CN108335908B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
-
公开(公告)号：CN108335908A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
-
公开(公告)号：CN108695073B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
-
公开(公告)号：CN107039101B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610851418.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107025951A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610851003.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。
-
公开(公告)号：CN105280264A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510277947.1
申请日：2015-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01B1/02
CPC classification number: C01B19/002 , B22F5/006 , B22F2001/0033 , C01P2002/20 , C01P2002/70 , C01P2002/76 , C01P2002/90 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C03C17/22 , C03C2217/289 , C22C28/00 , C22C30/00 , C30B29/46 , H01B1/06 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L31/022466
Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。
-
公开(公告)号：CN107025952B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201610911911.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。
-
公开(公告)号：CN107039101A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610851418.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
-
公开(公告)号：CN107025952A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610911911.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.027 seconds)
