Invention Publication
- Patent Title: 电容器结构以及其制造方法
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Application No.: CN202111266442.7Application Date: 2021-10-28
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Publication No.: CN114005815APublication Date: 2022-02-01
- Inventor: 吴家伟 , 童宇诚
- Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司
- Applicant Address: 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- Assignee: 福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee: 福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee Address: 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- Agency: 北京聿宏知识产权代理有限公司
- Agent 陈超德; 吴昊
- Main IPC: H01L23/64
- IPC: H01L23/64 ; H01L49/02

Abstract:
本发明公开了一种电容器结构以及其制造方法。电容器结构包括第一电极、第二电极以及电容介电叠层。电容介电叠层设置在第一电极与第二电极之间,且电容介电叠层包括第一介电层。第一介电层包括第一氧化锆层以及第一氧化硅锆层。电容器结构的制造方法包括下列步骤。在第一电极上形成电容介电叠层,且电容介电叠层包括第一介电层。第一介电层包括第一氧化锆层以及第一氧化硅锆层。然后,在电容介电叠层上形成第二电极,且电容介电叠层位在第一电极与第二电极之间。
Public/Granted literature
- CN114005815B 电容器结构以及其制造方法 Public/Granted day:2025-02-21
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IPC分类: