本发明提供了一种NAND闪存的制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成有至少两个浮栅层，相邻浮栅层之间设置有开口，所述浮栅层上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述浮栅层的侧壁和顶部；形成控制栅材料层，所述控制栅材料层填充所述开口并覆盖所述第一侧墙；对控制栅材料层进行刻蚀工艺，以形成控制栅层，并且所述浮栅层处形成浮栅层残留物；进行原子层沉积氧化工艺，以形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖控制栅层和开口；进行快速热氧化工艺，以形成第二氧化层，快速热氧化工艺的工艺气体穿透第一氧化层去除浮栅层残留物。解决了控制栅刻蚀过程中，浮栅的残留物导致相邻浮栅短路以及漏电的问题。