- 专利标题: 一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置
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申请号: CN202210046994.5申请日: 2022-01-17
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公开(公告)号: CN114065674A公开(公告)日: 2022-02-18
- 发明人: 赵东艳 , 王于波 , 鹿祥宾 , 陈燕宁 , 付振 , 董广智 , 钟明琛 , 宋彦斌 , 单书珊 , 吴峰霞 , 张肖 , 刘波 , 邓超平
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司,国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司,国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 高英英
- 主分类号: G06F30/33
- IPC分类号: G06F30/33
摘要:
本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置,属于集成电路技术领域。预测方法包括:确定CMOS器件的基础EOS失效率;确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子;获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果,并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值,其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大;基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值,建立针对EOS失效率的预测模型,以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析,综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素,所得到的EOS失效率的预测值更为精准,从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
公开/授权文献
- CN114065674B 一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置 公开/授权日:2022-04-22