本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。