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公开(公告)号：CN115200721A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633557.3
申请日：2022-06-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种热反射显微热成像膨胀补偿方法、装置及电子设备。该方法包括：获取被测器件在当前环境条件下的初始图像。计算初始图像相对于被测器件标准图像的缩放系数，其中标准图像是显微系统在像距为成像透镜焦距、物距为物镜焦距的条件下获取的图像。根据缩放系数确定与当前环境条件相匹配的目标像距与目标物距。设置显微系统的像距为目标像距、物距为目标物距，获得被测器件膨胀补偿后的热反射显微热成像图像。本发明能够根据被测器件热膨胀前后图像的缩放系数，调整显微系统的像距与物距，实现放大倍率等于初始放大倍率除以缩放系数，对应调整被测器件热成像的图像尺寸，实现了热成像膨胀补偿，降低了被测器件热膨胀引起的热成像测温误差。
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公开(公告)号：CN114089144A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111173028.1
申请日：2021-10-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。
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公开(公告)号：CN115436422A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210960719.4
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01N25/20 , H01L23/544
摘要： 本申请适用于半导体材料热物性测试技术领域，提供了一种贴片式电极及制备方法和材料导热率测试方法，上述贴片式电极包括：金属条带，所述金属条带呈Π字形；加电焊盘和测试采样焊盘，设置于所述金属条带上；其中，将所述贴片式电极与待测材料贴合后，通过加电设备向所述加电焊盘施加频率为ω的交流电流，通过采集设备与所述测试采样焊盘连接以采集频率为3ω的谐波电压。上述贴片式电极应用于通过3ω测试方法对芯片进行导热率测试的工作场景，提升了对芯片使用3ω方法进行导热率测试的便捷性和泛用性。
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公开(公告)号：CN114089144B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111173028.1
申请日：2021-10-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。
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公开(公告)号：CN116184028A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310122061.4
申请日：2023-02-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种贴片电极及片内热阻测试方法，本发明实施方式公开的一种贴片电极，利用该高热导率材料，能够显著降低贴片式电极对测试结果带来的影响，简化3ω测试的工艺准备流程，推动3ω方法的推广应用。本发明提供的的贴片式电极，能够克服传统半导体工艺方案工艺难度大、无法对芯片成品进行测试的缺陷，同时采用金刚石基底材料及金属焊接结合工艺，能够最大程度减小贴片电极对测试效果的影响，实现被测材料热特性的的快速、准确测试。本发明片内热阻测试方法实施方式，能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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公开(公告)号：CN115200720A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN114241023A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111527188.1
申请日：2021-12-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于亚像素图像配准技术领域，提供了亚像素图像配准方法、装置及终端设备，该亚像素图像配准方法包括：获取目标物体的参考图像、目标物体的待配准采集图像；对待配准采集图像和参考图像进行傅里叶变换；对经过傅里叶变换后的待配准采集图像进行带限处理，过滤掉待配准采集图像中的无效信息；基于参考图像对经过带限处理的待配准采集图像进行配准。本申请解决了现有相位相关法在高放大倍率下会发生失效的问题。
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