一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括至少一个元胞，元胞包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的半导体单元，半导体单元包括：基区、源区、漂移区以及集电区，源区和基区之间形成第一PN结，还包括沟槽栅结构以及PN结结构，PN结结构形成在栅介质层中且位于栅极的远离沟道区的至少一侧，PN结结构中的第一导电类型区与第一电极电连接，PN结结构中的第二导电类型区浮空在栅介质层中。由于在正向耐压过程中，第二导电类型区的电势会得到抬高，第二电极的电压维持不变，因此耗尽层电容上的电荷无法被泄放，第二导电类型区维持较高的电势，从而使得周围槽栅底部的电势得到抬高，从而抑制栅介质层底部的空穴堆积，而抑制位移电流的产生。