- 专利标题： 一种铜锌锡硫吸收层薄膜、制备及包含其的太阳电池
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申请号： CN202111328388.4申请日： 2021-11-10
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公开(公告)号： CN114122170B公开(公告)日： 2024-01-30
- 发明人: 王书荣 , 李新毓 , 杨帅 , 李祥 , 刘信 , 李秋莲 , 张道永
- 申请人： 云南师范大学
- 申请人地址： 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号
- 专利权人： 云南师范大学
- 当前专利权人： 云南师范大学
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号
- 代理机构： 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 崔自京
- 主分类号： H01L31/032
- IPC分类号： H01L31/032 ; H01L31/0445 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及一种基于含氧预制层制备铜锌锡硫吸收薄膜(Cu2ZnSnS4，CZTS)的方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)将清洗好的衬底在真空中磁控溅射，沉积得到双层钼背电极薄膜；电极薄膜基础上进行周期溅射得到含氧铜锌锡硫预制层薄膜；(4)将步骤(3)所述含氧铜锌锡硫预制层薄膜在氮气中热处理，然后与硫粉放入石墨舟，在硫化炉中加热，最后冷却制得铜锌锡硫吸收层薄膜。即本发明通过采用含氧铜锌锡硫预制层薄膜以及优化硫化工艺可以有效减少漏电通道和减低MoS2的厚度，从而制备出符合高效率薄膜太阳电池要求的贫铜富锌的铜锌锡硫吸收层薄膜。同时本发明还提供了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法。(3)以ZnO/SnO2/Cu顺序在步骤(2)所述双层钼背
公开/授权文献
- CN114122170A 一种铜锌锡硫吸收层薄膜、制备及包含其的太阳电池 公开/授权日：2022-03-01
IPC分类:
