发明公开
- 专利标题： 具有介电层的半导体结构元件
-
申请号： CN202080049347.9申请日： 2020-06-23
-
公开(公告)号： CN114127967A公开(公告)日： 2022-03-01
- 发明人: F·沙茨 , T·沙里 , D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 , D·潘特尔 , J·托马斯科 , M·梅夫斯
- 申请人： 罗伯特·博世有限公司
- 申请人地址： 德国斯图加特
- 专利权人： 罗伯特·博世有限公司
- 当前专利权人： 罗伯特·博世有限公司
- 当前专利权人地址： 德国斯图加特
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 郭毅
- 优先权： 102019209964.5 20190705 DE 102019209965.3 20190705 DE 102019210033.3 20190708 DE 102019210032.5 20190708 DE
- 国际申请： PCT/EP2020/067568 2020.06.23
- 国际公布： WO2021/004782 DE 2021.01.14
- 进入国家日期： 2022-01-05
- 主分类号： H01L41/08
- IPC分类号： H01L41/08 ; H01L41/187 ; H01L41/316
摘要：
公开一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件具有至少一个介电层(230)和至少两个电极(201，202)，其中，在所述介电层中至少存在第一缺陷类型和与所述第一缺陷类型不同的第二缺陷类型。所述不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述电极之间所施加的运行电压和当前的主运行温度在特征时间τ1和τ2内在所述两个电极中的一个电极上积累，并且在所述电极上产生所配属的最大势垒高度变化δΦ1和δΦ2，其中，适用的是τ1
IPC分类:
