本发明属于微细工程制造领域，涉及阵列式光学探针扫描光刻制作集成电路的方法。该方法由m×n个光探针单元构成光学探针阵列，将光学探针阵列中任意两个纵向或横向间隔最大的光探针单元用作精确定位的光探针单元单独在硅片上扫描，制作记录硅片信息的信号，用于套刻时硅片的对准与校正；将光刻过的硅片进行扩散，掺杂工艺，完成对感光图形的固定，洗掉原来光刻胶，重新在硅片上涂新的光刻胶；本方法达到的集成电路的最小线宽可小于0.1μm，同时具有速度快，效率高的特点，并大大简化了集成电路的制作工艺，为超大规模集成电路的制作提供了一种新的有效的途径。