Invention Grant
- Patent Title: 一种半导体材料退火装置及退火方法
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Application No.: CN202210044062.7Application Date: 2022-01-14
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Publication No.: CN114197056BPublication Date: 2024-07-09
- Inventor: 王蓉 , 王芸霞 , 皮孝东 , 沈典宇 , 杨德仁
- Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
- Applicant Address: 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
- Assignee: 浙江大学杭州国际科创中心
- Current Assignee: 浙江大学杭州国际科创中心
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
- Agency: 杭州裕阳联合专利代理有限公司
- Agent 盛影影
- Main IPC: C30B33/02
- IPC: C30B33/02 ; C30B29/36 ; C23C16/26 ; C23C16/52

Abstract:
本发明公开了一种半导体材料退火装置及退火方法,涉及半导体制造技术领域,其中,一种半导体材料退火装置,包括:转移室,转移室内设有载样台,转移室上活动设有样品传送装置;第一加热室,第一加热室与转移室相连通;第二加热室,第二加热室与转移室相连通;冷却室,冷却室与转移室相连通;旋转升降机构,旋转升降机构与载样台相连接,旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热,无需进行重复升温降温操作,有效降低工作过程能耗以及提高退火效率,且每个室既可以配合工作,也可以单独工作,进一步降低了生产成本。
Public/Granted literature
- CN114197056A 一种半导体材料退火装置及退火方法 Public/Granted day:2022-03-18
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