- 专利标题： 一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
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申请号： CN202210159453.3申请日： 2022-02-22
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公开(公告)号： CN114220847A公开(公告)日： 2022-03-22
- 发明人: 余山 , 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王凯 , 吴波 , 邓永峰 , 刘倩倩 , 郁文
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 高英英
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有外延层；所述外延层上方依次设有第一重掺杂N+离子、P型硅、N型硅及第二重掺杂N+离子；所述P型硅中设有轻掺杂N型离子，所述N型硅中设有轻掺杂P型离子。所述LDMOSFET不需要高能量离子注入，具有工艺简单，成本低的特点。
公开/授权文献
- CN114220847B 一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路 公开/授权日：2022-05-17
IPC分类:
