发明授权
- 专利标题: 谐振器及其制备方法、滤波器
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申请号: CN202111569313.5申请日: 2021-12-21
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公开(公告)号: CN114221631B公开(公告)日: 2023-12-08
- 发明人: 罗天成 , 蔡耀 , 高超 , 邹杨 , 林炳辉 , 龙开祥 , 孙博文 , 孙成亮
- 申请人: 武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 代理机构: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
- 代理商 崔熠
- 主分类号: H03H3/02
- IPC分类号: H03H3/02 ; H03H9/17
摘要:
一种谐振器及其制备方法、滤波器,涉及谐振器技术领域。该制备方法包括:在第一衬底上依次形成压电层和第一电极层;在第一电极层上形成第一键合层;图形化第一键合层,以形成露出压电层的第一凹槽;形成填充第一凹槽的牺牲材料得到第一器件;在第二衬底上形成第二键合层;图形化第二键合层,以形成露出第二衬底的第二凹槽;形成填充第二凹槽的牺牲材料得到第二器件;键合第一器件的第一键合层和第二器件的第二键合层,并去除第一衬底;在压电层远离第一电极层的一面形成第二电极层得到第三器件;在第三器件上形成释放孔,通过释放孔释放牺牲材料以形成谐振器的空腔。该制备方法制备的谐振器的压电层为单晶材料,能够满足高性能器件的要求。
公开/授权文献
- CN114221631A 谐振器及其制备方法、滤波器 公开/授权日:2022-03-22