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公开(公告)号：CN118074655B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410275988.6
申请日：2024-03-11
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器制备技术领域。该薄膜体声波谐振器包括：基底层、依次层叠设置在基底层上的底电极层、压电层和顶电极层，基底层内设有第一空腔、环绕第一空腔的第一保护墙和第二保护墙，第二保护墙位于第一保护墙上方，第二保护墙由第一保护墙向靠近第一空腔的方向倾斜。该薄膜体声波谐振器通过在基底层内设置第一保护墙和倾斜的第二保护墙，能够防止第一空腔释放过程中腐蚀气体或者腐蚀液由保护墙上方横向泄露，避免因保护墙无法阻挡而造成的横向腐蚀损坏器件。
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公开(公告)号：CN117498828B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311675811.7
申请日：2023-12-06
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括衬底结构、种子层、挡墙结构和堆叠谐振结构；衬底结构包括第一衬底层、埋氧层和第二衬底层，并且第二衬底层包括空腔和第二衬底本体；种子层包括第一牺牲通道；堆叠谐振结构包括第二牺牲通道和刻蚀通孔，并且沿种子层的厚度方向，第一牺牲通道的投影与第二牺牲通道的投影重合，并且刻蚀通孔的投影围绕第二牺牲通道的投影；挡墙结构包括第一挡墙分部和第二挡墙分部，并且沿种子层的厚度方向，第一挡墙分部、第二挡墙分部与刻蚀通孔的投影重合。采用提供的技术方法，挡墙结构包括相互连接的第一挡墙分部和第二挡墙分部，可以进一步保证薄膜体声波谐振器的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN118074655A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410275988.6
申请日：2024-03-11
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器制备技术领域。该薄膜体声波谐振器包括：基底层、依次层叠设置在基底层上的底电极层、压电层和顶电极层，基底层内设有第一空腔、环绕第一空腔的第一保护墙和第二保护墙，第二保护墙位于第一保护墙上方，第二保护墙由第一保护墙向靠近第一空腔的方向倾斜。该薄膜体声波谐振器通过在基底层内设置第一保护墙和倾斜的第二保护墙，能够防止第一空腔释放过程中腐蚀气体或者腐蚀液由保护墙上方横向泄露，避免因保护墙无法阻挡而造成的横向腐蚀损坏器件。
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公开(公告)号：CN112787616B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110006473.2
申请日：2021-01-05
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明提出了一种谐振器的调频方法。所述谐振器由下电极、压电层、上电极依次叠加构成。所述的压电层上部电极宽度小于或大于下部电极宽度；固定谐振器下电极的宽度，来调节电极的相对金属率，从而调节电极损耗与压电层的压电参数，通过调节上电极的宽度来调节谐振器的谐振频率；本发明方法固定谐振器上电极的宽度，来调节电极的相对金属率，从而调节电极损耗与压电层的压电参数，通过调节下电极的宽度来调节谐振器的谐振频率；本发明谐振器调频方法易于集成且适合量产的可调谐的谐振器，使其能够实现在一片晶圆上制造不同谐振频率的谐振器。
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公开(公告)号：CN112134540B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010977498.2
申请日：2020-09-17
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种复合电极的体声波谐振器及其制备方法，包括带有空腔的衬底、复合下电极、压电层、上电极。其中，压电层在复合下电极和上电极之间。复合下电极含有第一下电极、种子层、温度补偿层和第二下电极。第一下电极和第二下电极通过刻蚀通孔后相连接；通孔贯穿温度补偿层和种子层。复合电极在一方面可以提高压电薄膜的质量，降低谐振器的温度频率系数；另一方面，消除了由于温度补偿层导致的寄生电容效应，提高了谐振器的耦合系数。
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公开(公告)号：CN114221631B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111569313.5
申请日：2021-12-21
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 一种谐振器及其制备方法、滤波器，涉及谐振器技术领域。该制备方法包括：在第一衬底上依次形成压电层和第一电极层；在第一电极层上形成第一键合层；图形化第一键合层，以形成露出压电层的第一凹槽；形成填充第一凹槽的牺牲材料得到第一器件；在第二衬底上形成第二键合层；图形化第二键合层，以形成露出第二衬底的第二凹槽；形成填充第二凹槽的牺牲材料得到第二器件；键合第一器件的第一键合层和第二器件的第二键合层，并去除第一衬底；在压电层远离第一电极层的一面形成第二电极层得到第三器件；在第三器件上形成释放孔，通过释放孔释放牺牲材料以形成谐振器的空腔。该制备方法制备的谐振器的压电层为单晶材料，能够满足高性能器件的要求。
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公开(公告)号：CN115395911B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211048802.0
申请日：2022-08-30
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本申请公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及微电子技术领域。该所述方法包括：在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层；在填充有所述牺牲层的所述衬底上沉积底电极层，在所述底电极层上均布刻蚀多个槽孔以形成底电极；在所述底电极上沉积第一压电层并平坦化；在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；在所述第二压电层上沉积顶电极层，并对所述顶电极层图案化处理以形成顶电极；释放所述牺牲层，以形成所述衬底与所述底电极之间的空腔结构。该方法能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN115001430B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210591204.1
申请日：2022-05-26
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：第一衬底以及依次形成于第一衬底上的压电层、下电极和第一质量负载层；在下电极上形成覆盖第一质量负载层的牺牲层；在器件晶圆具有牺牲层的一侧形成支撑层；通过键合工艺在支撑层上形成第二衬底；去除第一衬底以使压电层露出；在压电层上依次形成上电极和第二质量负载层；释放牺牲层以在第一质量负载层和支撑层之间形成空腔。由此，通过控制第一质量负载层和第二质量负载层所占谐振器的有效工作区域面积比例对应实现谐振器的调谐，从而制造具有不同谐振频率的谐振器，有效避免了因为外加元件调谐所带来的损耗，保证了谐振器具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN113810010B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111105960.0
申请日：2021-09-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 一种体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器包括具有空腔的衬底和依次设置于衬底上的底电极、压电层和顶电极；底电极、压电层和顶电极分别在衬底上的正投影的重合区域形成谐振区域；在谐振区域内，底电极和顶电极分别在衬底上的正投影的轮廓形状为由M条弧线首尾连接形成的封闭图形，且封闭图形为轴对称图形；其中，M为大于或等于2的整数，且弧线包括朝向谐振区域的中心凹设的内凹弧线和背向谐振区域的中心外凸的外凸弧线。该体声波谐振器能够减少声波简并，从而减少杂波谐振峰、减少伪模态，以获得较纯净的大机电耦合系数的主模。
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