一种叠层TCO薄膜、硅异质结电池及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种叠层TCO薄膜,依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层,其中,所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层,第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜,采用三叠层膜结构,近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势,中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势,将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层,有利于降低电池电学和光学损失,提高电池短路电流密度和填充因子。
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