发明公开
- 专利标题: 一种叠层TCO薄膜、硅异质结电池及其制备方法
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申请号: CN202111432647.8申请日: 2021-11-29
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公开(公告)号: CN114242805A公开(公告)日: 2022-03-25
- 发明人: 宫元波 , 赵晓霞 , 田宏波 , 王伟 , 王雪松 , 王彩霞 , 宗军 , 范霁红 , 孙金华
- 申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
- 专利权人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
- 当前专利权人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 孙诗惠
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224 ; H01L31/0747 ; H01L31/20
摘要:
本发明公开了一种叠层TCO薄膜,依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层,其中,所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层,第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜,采用三叠层膜结构,近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势,中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势,将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层,有利于降低电池电学和光学损失,提高电池短路电流密度和填充因子。
IPC分类: