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公开(公告)号：CN114242805A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111432647.8
申请日：2021-11-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。
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公开(公告)号：CN114005890A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111226933.9
申请日：2021-10-21
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形，相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连，提高组件良率和可靠性，可最大限度地提高焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
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公开(公告)号：CN110137302A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810130401.7
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法，包括：(1)将晶硅衬底浸入溶解有臭氧的清洗液中进行预清洗；(2)将步骤(1)所得晶硅衬底浸入碱性溶液中，以便在晶硅衬底的表面形成特定形貌的绒面结构；(3)将步骤(2)所得晶硅衬底浸入含有NH4OH和H2O2的去离子水中进行清洗；(4)将步骤(3)所得晶硅衬底浸入HF、HCl和H2O2的混合液中进行清洗，以便得到具有绒面结构的清洁晶硅衬底。该方法采用臭氧有效清除晶硅衬底表面的有机物等杂质，为后续制绒工序提供更为均匀、可控的洁净晶硅衬底表面，该方法不仅提高了晶硅衬底的清洗和制绒效果，而且以臭氧代替传统方法中的高浓度H2SO4等强酸试剂，便于废液的回收利用，减少了对环境的影响。
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公开(公告)号：CN114242833A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111372228.X
申请日：2021-11-18
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳电池的硅片处理方法，所述硅片处理方法包括提供一硅片，对硅片进行预处理，去除所述硅片表面的原始损伤层、杂质和氧化层；将所述硅片置于等离子体增强化学气相沉积设备的反应腔内，将所述等离子体增强化学气相沉积设备的基板温度控制在200‑600℃，对所述硅片进行低温氢处理。本发明实施例的异质结太阳电池的硅片处理方法可有效提高硅片体寿命，有利于提高电池开路，提高异质结电池效率；改善了由于硅片片源质量波动而导致的末端电池效率的波动现象，使电池效率集中度得到提高。
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公开(公告)号：CN113964229A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111175013.9
申请日：2021-10-09
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种背接触异质结电池及其制备方法。所述背接触异质结电池包括：n型单晶硅衬底；依次设置于所述n型单晶硅衬底上表面的第一钝化层和减反射层；设置于所述n型单晶硅衬底下表面的第二钝化层；设置于所述第二钝化层下表面的局域n型硅基薄膜；设置于所述局域n型硅基薄膜下表面和所述第二钝化层下表面的除所述局域n型薄膜以外区域的p型硅基薄膜；依次设置于所述p型硅基薄膜下表面的TCO薄膜和金属电极。因此，根据发明实施例的背接触异质结电池具有制备工艺简单和生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN110797439A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810878656.1
申请日：2018-08-03
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明提出了一种硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法。该方法包括在沉积有透明导电氧化物薄膜的硅异质结结构表面形成具有一定图案的掩膜；在掩膜窗口位置依次电镀金属铜和金属锡；去除非电极区域的掩膜，使其下方的TCO薄膜暴露；将电池浸入锡盐溶液中，以便在铜电极侧表面形成金属锡包覆层；以及将电极进行热处理。该方法简便、高效，不会对电池表面和电极其他部分造成影响，同时在锡层被破坏的位置还可以形成新的锡层，从而使锡层完整包覆铜电极，增强铜电极在环境中的稳定性，同时金属锡的完整包覆有利于后续组件形成过程中的焊接工艺。
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公开(公告)号：CN110137289A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810129811.X
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN114242834A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111372324.4
申请日：2021-11-18
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0747 , H01L31/0224
摘要： 本发明实施例提供了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，包括光注入模块和磁控溅射镀膜设备；其中磁控溅射镀膜设备包括上下游依次设置的制程前室、制程室和制程后室；其中制程前室对待镀膜的样品预热；制程室对预热后的待镀膜的样品镀膜；制程后室将镀膜后的样品冷却；光注入模块设置在制程前室内用于对待镀膜的样品进行光注入处理。本发明的实施例将光注入模块集成到磁控溅射设备的某些非镀膜腔室中，在铜栅线异质结太阳电池进行磁控溅射沉积TCO薄膜及金属薄膜前完成光注入处理，有效解决了铜栅线异质结太阳电池的光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN113943920A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110887924.8
申请日：2021-08-03
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
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公开(公告)号：CN110649129A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910887237.9
申请日：2019-09-19
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0725 , H01L31/076
摘要： 本发明提出一种硅异质结太阳电池，包括：n型晶硅衬底；分别设置于n型晶硅衬底上表面的第一本征非晶硅层和下表面的第二本征非晶硅层；设置于第一本征非晶硅层上表面的p型掺杂非晶硅发射极层；设置于第二本征非晶硅层下表面的n型掺杂非晶硅背场层；设置于p型掺杂非晶硅发射极层上表面的第一TCO层；设置于n型掺杂非晶硅背场层下表面的第二TCO层；分别设置于第一TCO层上表面和第二TCO层下表面的铜栅线电极层。第一TCO层的功函数高于第二TCO层，这样正背面TCO薄膜不仅可分别与p型非晶硅发射极及n型非晶硅背场形成良好的接触，同时满足载流子输运的功函数要求，利于降低接触电阻，提高电池效率。
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