本发明公开了一种异质结太阳电池的硅片处理方法，所述硅片处理方法包括提供一硅片，对硅片进行预处理，去除所述硅片表面的原始损伤层、杂质和氧化层；将所述硅片置于等离子体增强化学气相沉积设备的反应腔内，将所述等离子体增强化学气相沉积设备的基板温度控制在200‑600℃，对所述硅片进行低温氢处理。本发明实施例的异质结太阳电池的硅片处理方法可有效提高硅片体寿命，有利于提高电池开路，提高异质结电池效率；改善了由于硅片片源质量波动而导致的末端电池效率的波动现象，使电池效率集中度得到提高。