- 专利标题: 高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE-200及其富硒发酵策略
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申请号: CN202111537482.0申请日: 2021-12-15
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公开(公告)号: CN114250153B公开(公告)日: 2023-07-25
- 发明人: 丁重阳 , 徐萌萌 , 王琼 , 魏志毅 , 赵丽婷 , 顾正华 , 马忠宝 , 石贵阳
- 申请人: 江南大学
- 申请人地址: 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
- 专利权人: 江南大学
- 当前专利权人: 江南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
- 代理机构: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- 代理商 赵巧娜
- 主分类号: C12N1/14
- IPC分类号: C12N1/14 ; C12N1/36 ; C12N3/00 ; C12P19/04 ; A23L31/00 ; A23L33/10 ; A23L33/16 ; A23K10/12 ; A23K20/20 ; A61K8/9789 ; A61K8/73 ; A61Q19/00 ; A61K36/074 ; A61K31/715 ; C12R1/645
摘要:
本发明公开了高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE‑200及其富硒发酵策略,属于生物技术领域。本发明提供的灵芝菌株Ganoderma lucidum JNUSE‑200已于2021年9月17日保藏于中国典型培养物保藏中心。硒耐受能力的提升对其富硒至关重要,而本发明的灵芝菌株Ganoderma lucidum JNUSE‑200在整个液体发酵生长周期中,均能稳定耐受200ppm亚硒酸钠,菌丝体生长正常,菌丝细胞没有出现凋亡,且没有出现刺激性难闻气味,菌丝体富硒总量可以达到2000mg/kg,因此本菌株具有很广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN114250153A 高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE-200及其富硒发酵策略 公开/授权日:2022-03-29
IPC分类: