发明公开
- 专利标题: 基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备
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申请号: CN202210019991.2申请日: 2022-01-10
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公开(公告)号: CN114325201A公开(公告)日: 2022-04-12
- 发明人: 丁旭 , 王立平 , 郭丽丽
- 申请人: 浙江铖昌科技股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢713室
- 专利权人: 浙江铖昌科技股份有限公司
- 当前专利权人: 浙江铖昌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢713室
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 赵琴
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00
摘要:
本发明提供基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备,包括:对探针尖端面的S参数进行在片校准并测量得到多端口的S参数矩阵;测量负载标准件的直流电阻;获取预设去嵌结构的S参数;根据去嵌结构的S参数和直流电阻得到待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数;将多端口的S参数矩阵处理得到校准的两端口S参数;基于校准的两端口S参数和待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数得到待测器件的两端口S参数,并对所有待测器件的两端口S参数进行处理得到待测器件的多端口S参数。本发明无需知道去嵌结构的模型参数,有效减少去嵌过程中探针移动对结果的影响,去嵌精度高;同时,去嵌结构占用面积小,有效降低了测试成本,提高了测试效率。