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公开(公告)号：CN116466217A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310362207.2
申请日：2023-03-30
申请人： 浙江大学 , 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供了一种多端口射频微波芯片测试方法及装置，其中方法包括：控制集成测试系统中集成的多个模块化仪器，以对被测件进行不同芯片参数的测试，得到参数测试结果；根据参数测试结果，获取被测件的实际反射系数和测试反射系数；被测件包括开路、短路和负载；负载的测试反射系数不等于0；根据实际反射系数和测试反射系数，计算8项误差模型的单端口误差项，以根据单端口误差项计算出两个端口分别对应的误差修正T参数矩阵；根据实际反射系数和测试反射系数计算夹具的S参数；根据两个端口分别对应的误差修正T参数矩阵和夹具的S参数，对参数测试结果进行校准修正。本方案，能够提高多端口射频微波芯片的测试效率和测试精度。
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公开(公告)号：CN116256684A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211573968.4
申请日：2022-12-08
申请人： 浙江大学 , 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种数据基S参数校准件构建方法，包括以下步骤：设置矢量网络分析仪的校准参数；采用所述矢量网络分析仪，基于LRM和MTRL算法对开路标准件、短路标准件和负载匹配标准件进行校准；当所述校准通过后，获取所述开路标准件、所述短路标准件和所述负载匹配标准件的数据基S参数。本发明的数据基S参数校准件构建方法，有效提升了校准算法的精度，且保证了校准操作的便捷性。
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公开(公告)号：CN114841099B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210776150.6
申请日：2022-07-04
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/33 , G06F113/18
摘要： 本发明涉及半导体仿真技术领域，特别涉及一种表征模型的构建方法、装置、设备和系统。方法包括：确定用于表征待测器件传输性能的表征模型所包括的自变量；表征模型的自变量包括频率、温度和器件物理尺寸参数中的至少一种，且表征模型的自变量至少包括频率；利用确定的至少一个自变量构建表征模型；表征模型为R、L、C分别与频率相关的多阶等式；采用自变量赋值方式，获取在每一次测量条件下待测器件去嵌后的S参数；将S参数转换为R、L和C的参数值；利用R、L和C的参数值分别对对应多阶等式进行拟合，得到对应多阶等式中未知系数的值，将未知系数的值代入对应多阶等式中，表征模型构建完成。本方案，能够提高表征模型的准确性和通用性。
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公开(公告)号：CN115149234A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202211068328.8
申请日：2022-09-02
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种传输线结构及传输线设计方法，包括一传输线单元，传输线单元包括第一电感、第二电感、第一电容及第二电容；其中，第一电感的两端分别作为传输线单元的正相输入端和正相输出端；第二电感的两端分别作为传输线单元的反相输入端和反相输出端；第一电容的两端分别连接传输线单元的正相输入端和反相输出端；第二电容的两端分别连接传输线单元的反相输入端和正相输出端。本发明在插损上呈现高通特性、具有更小的损耗并且插损随着频率增加变化不大，相位随着频率增加变化变慢；能有效拓宽基于四分之一波长传输线实现的功能器件的应用范围；且通过一组电感和一组电容即可实现，结构简单、尺寸小、工作带宽宽。
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公开(公告)号：CN112687656A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110284566.1
申请日：2021-03-17
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
发明人： 郭丽丽
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/482 , H01L21/52 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，结构包括：具有容置凹槽的载片；待键合芯片贴装在容置凹槽中并形成侧壁间隙；侧壁补偿桥接层，连接芯片和载片表面并使侧壁间隙与外界连通；种子层及互联金属层，形成在侧壁补偿桥接层上实现芯片和载片的互联。本发明基于侧壁补偿桥接层的设计，在空腔侧壁和芯片侧壁之间制作桥接，后续制备的RDL在桥面通过。本发明可以解决缝隙难以实现有效填充以及填充存在气泡等问题，防止气泡对后续封装工艺的影响。另外，还可以使芯片表面和载片表面之间形成光滑的曲面，利于后续互联。本发明工艺简单，适合各种厚度的芯片，在保护待键合芯片的同时为后续的种子层连续提供保证，使后续RDL的电镀工艺得以进行。
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公开(公告)号：CN111983434A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202011019258.8
申请日：2020-09-25
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种多端口射频微波芯片的测试系统，包括：具有载物台、第一台面及第二台面的自动探针台；第一台面位于载物台的上方，中心区域安置直流探针卡；第二台面位于第一台面的上方，探针座安置于第二台面上；自动探针台和探针座由伺服电机驱动，可以分别进行X-Y-Z方向的三维移动；PXI-e多功能测试平台，给直流探针卡提供测试信号实现对待测芯片的直流特性测试及监测；四端口矢量网络分析仪，给射频探针提供测试信号实现对待测芯片的射频特性测试。本发明的多端口射频微波芯片的测试系统结构简单、测试参数覆盖性高、测试效率高、测试精度高、成本低、测试灵活性高。
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公开(公告)号：CN111293999B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010394754.5
申请日：2020-05-12
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种宽带可重构功率放大器及雷达系统，其中宽带可重构功率放大器包括：输入可重构匹配网络模块、宽带大功率放大器模块、超宽带低功率放大器模块、输出可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在选择宽带大功率模式时控制：超宽带低功率放大器模块偏置掉电，宽带大功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为大功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为大功率输出匹配网络；供电控制模块用于在选择超宽带低功率线性放大模式时控制：宽带大功率放大器模块偏置掉电，超宽带低功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为低功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为低功率输出匹配网络。
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公开(公告)号：CN110988767A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911020208.9
申请日：2019-10-25
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法，具体包括如下步骤：101)晶片加工步骤、102)表面处理步骤、103)初步制作步骤、104)二次处理步骤；本发明提供制造出高性能的开路结构、短路结构、直通结构、负载结构、延时结构的在片校准件，并且可通过模型对其电性能进行合理表征的一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法。
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公开(公告)号：CN111983434B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011019258.8
申请日：2020-09-25
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种多端口射频微波芯片的测试系统，包括：具有载物台、第一台面及第二台面的自动探针台；第一台面位于载物台的上方，中心区域安置直流探针卡；第二台面位于第一台面的上方，探针座安置于第二台面上；自动探针台和探针座由伺服电机驱动，可以分别进行X‑Y‑Z方向的三维移动；PXI‑e多功能测试平台，给直流探针卡提供测试信号实现对待测芯片的直流特性测试及监测；四端口矢量网络分析仪，给射频探针提供测试信号实现对待测芯片的射频特性测试。本发明的多端口射频微波芯片的测试系统结构简单、测试参数覆盖性高、测试效率高、测试精度高、成本低、测试灵活性高。
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公开(公告)号：CN110611488B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910715478.5
申请日：2019-08-05
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了温度补偿有源偏置电路，包括开关晶体管、有源偏置晶体管、电压调节电阻R2和栅极限流电阻R5；开关晶体管的一端与电压调节电阻R2的一端连接，电压调节电阻R2的另一端与有源偏置晶体管、栅极限流电阻R5的一端连接；本发明提供可降低工艺敏感度的温度补偿有源偏置，以解决在复杂工作环境中低噪声放大器芯片性能稳定性，并提高低噪声放大器芯片成品率的温度补偿有源偏置电路。
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