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公开(公告)号：CN118837639A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410839629.9
申请日：2024-06-26
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种噪声去嵌方法及装置，属于芯片测量领域。方法包括：获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；根据S参数测量值以及电阻‑电感‑电容负载模型中的已知电阻值，计算负载模型中的等效电容值和等效电感值；负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联；根据负载模型计算负载真实反射系数，并将负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数；根据待去嵌结构的S参数以及被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。本发明得到的噪声去嵌结果精度更高。
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公开(公告)号：CN116094625A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310063110.1
申请日：2023-01-13
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： H04B17/309 , H04B17/345 , H04B1/7097
摘要： 本发明涉及毫米波噪声参数测试系统和方法，其中，该系统包括矢量网络分析仪、扩频装置、被测件、下变频器、阻抗调配器以及噪声参数确定装置，扩频装置包括扩频控制器和两个扩频器，扩频控制器用于控制两个扩频器将被测件的工作频率提升至毫米波段；下变频器用于进行散射参数测试支路和噪声参数测试支路的切换，将噪声信号的频率下调至矢量网络分析仪的噪声接收频率范围；阻抗调配器用于使矢量网络分析仪在不同输入阻抗下获取不同的噪声信号；矢量网络分析仪用于在散射参数测试支路上获取散射参数，以及在噪声参数测试支路上获取不同噪声信号；噪声参数确定装置用于对散射参数和不同的噪声信号进行修正，计算噪声信号对应的噪声参数。
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公开(公告)号：CN114966557A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210516929.4
申请日：2022-05-12
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01S7/28
摘要： 本发明公开了一种用于相控阵雷达多通道T/R多功能的快速波控系统，其特征在于，包括时序逻辑部和组合逻辑部；其中时序逻辑部包括SPI接口和内部寄存器以及存储器，SPI接口将外部串行码值转换为内部寄存器需要的并行码值；组合逻辑部通过SPI接口得到的数据做逻辑运算，输出控制信号等；其中，内部寄存器还包括中间级和输出级，中间级和输出级分别由两个不同的时钟控制，且SPI接口与中间级共用一个时钟；读状态下能够自动快速读取指定地址的数据并输出；本发明提供快速切换移相衰减状态的一种用于相控阵雷达多通道T/R多功能的快速波控系统。
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公开(公告)号：CN114841099A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210776150.6
申请日：2022-07-04
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/33 , G06F113/18
摘要： 本发明涉及半导体仿真技术领域，特别涉及一种表征模型的构建方法、装置、设备和系统。方法包括：确定用于表征待测器件传输性能的表征模型所包括的自变量；表征模型的自变量包括频率、温度和器件物理尺寸参数中的至少一种，且表征模型的自变量至少包括频率；利用确定的至少一个自变量构建表征模型；表征模型为R、L、C分别与频率相关的多阶等式；采用自变量赋值方式，获取在每一次测量条件下待测器件去嵌后的S参数；将S参数转换为R、L和C的参数值；利用R、L和C的参数值分别对对应多阶等式进行拟合，得到对应多阶等式中未知系数的值，将未知系数的值代入对应多阶等式中，表征模型构建完成。本方案，能够提高表征模型的准确性和通用性。
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公开(公告)号：CN113589211B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111156482.6
申请日：2021-09-30
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种毫米波宽带功率校准修正方法及系统、存储介质及终端，包括以下步骤：对于同轴或波导端口的夹具上连接的校准标准件，获取所述校准标准件的测试反射系数和实际反射系数；基于所述测试反射系数和所述实际反射系数构建超定方程组；基于所述超定方程组计算所述夹具的S参数；对所述夹具的S参数进行圆形内插，获取内插点的S参数；基于所述夹具的S参数和所述内插点的S参数进行毫米波宽带功率校准修正。本发明的毫米波宽带功率校准修正方法及系统、存储介质及终端能够准确、便捷地进行毫米波宽带功率校准修正，有效提高了射频微波的测试精度。
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公开(公告)号：CN113725717A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111285691.0
申请日：2021-11-02
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种二维点阵式多波束相控阵及其设计方法，其中二维点阵式多波束相控阵包括：多路并行的输入功分传输线、多路并行的输出功分传输线、多个幅相控制单元和多个可调电阻负载单元，多路并行的输入功分传输线与多路并行的输出功分传输线交错排布，每路输入功分传输线分出多路输入线，每路输入线分别与一个幅相控制单元连接，每路输出功分传输线分出多路输出线，每路输出线分别与一个幅相控制单元连接，每路输入功分传输线输出端和每路输出功分传输线输入端分别与一个可调电阻负载单元连接。本发明提供了一种尺寸较小、结构简单的二维点阵式多波束相控阵，有效提高了多波束相控阵芯片设计的集成度，降低成本，应用广泛。
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公开(公告)号：CN113589211A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111156482.6
申请日：2021-09-30
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种毫米波宽带功率校准修正方法及系统、存储介质及终端，包括以下步骤：对于同轴或波导端口的夹具上连接的校准标准件，获取所述校准标准件的测试反射系数和实际反射系数；基于所述测试反射系数和所述实际反射系数构建超定方程组；基于所述超定方程组计算所述夹具的S参数；对所述夹具的S参数进行圆形内插，获取内插点的S参数；基于所述夹具的S参数和所述内插点的S参数进行毫米波宽带功率校准修正。本发明的毫米波宽带功率校准修正方法及系统、存储介质及终端能够准确、便捷地进行毫米波宽带功率校准修正，有效提高了射频微波的测试精度。
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公开(公告)号：CN113076713B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110628906.8
申请日：2021-06-07
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G01R31/00 , G01R35/02
摘要： 本发明提供一种射频微波探针的S参数提取方法及系统、存储介质及终端，包括以下步骤：获取三维电磁场仿真得到的所述在片校准件的开路、短路、负载匹配的反射系数和直通的传输系数的仿真值；获取双端口S参数校准得到的所述在片校准件的开路、短路、负载匹配的反射系数和直通的传输系数的实测值；计算仿真值与实测值的误差值；若误差值大于预设阈值，获取仿真参数重置后获取的仿真值，直至误差值不大于预设阈值；对仿真值进行拟合，以获取在片校准件的电路模型参数；基于电路模型参数和OSL算法获取射频微波探针的S参数。本发明的射频微波探针的S参数提取方法及系统、存储介质及终端能够实现S参数的精准提取，有效提高了射频微波的在片测试精度。
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公开(公告)号：CN112687656B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110284566.1
申请日：2021-03-17
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
发明人： 郭丽丽
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/482 , H01L21/52 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，结构包括：具有容置凹槽的载片；待键合芯片贴装在容置凹槽中并形成侧壁间隙；侧壁补偿桥接层，连接芯片和载片表面并使侧壁间隙与外界连通；种子层及互联金属层，形成在侧壁补偿桥接层上实现芯片和载片的互联。本发明基于侧壁补偿桥接层的设计，在空腔侧壁和芯片侧壁之间制作桥接，后续制备的RDL在桥面通过。本发明可以解决缝隙难以实现有效填充以及填充存在气泡等问题，防止气泡对后续封装工艺的影响。另外，还可以使芯片表面和载片表面之间形成光滑的曲面，利于后续互联。本发明工艺简单，适合各种厚度的芯片，在保护待键合芯片的同时为后续的种子层连续提供保证，使后续RDL的电镀工艺得以进行。
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公开(公告)号：CN111490763B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010582938.4
申请日：2020-06-24
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , G01S7/02 , H04B1/40
摘要： 本发明涉及耐功率的场效应管开关、开关限幅芯片及射频前端系统，该场效应管开关包括自举电容以及至少一个FET管芯、至少一个漏源电阻、至少一个栅极串联电阻；所述场效应管开关的射频信号输入端与射频信号输出端连接，所述射频信号输入端与射频信号输出端之间的节点通过串联的各所述漏源电阻和所述自举电容接地；每个所述FET管芯的源极、漏极分别对应连接一个所述漏源电阻的两端，每个所述FET管芯的栅极通过一个所述栅极串联电阻连接所述场效应管开关的控制端。采用本发明提供的场效应管开关，可以在不增加、甚至降低开关损耗和面积的前提下提高开关的耐功率水平。
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