本发明公开了一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法，硅敏感单元包括外框、复合梁结构与质量块组件；复合梁结构包含梁应力释放结构、敏感梁和位移限制梁，梁应力释放结构的两侧通过敏感梁与外框相连、两端通过位移限制梁与外框相连；两个敏感梁、两个位移限制梁以梁应力释放结构为中心呈十字对称结构位于质量块组件间隔的镂空槽内；外框包含缓冲止挡结构。本发明应用于硅微传感器技术领域，增设位移限制梁与缓冲止挡结构，在不影响微加速度计工作模态下，位移限制梁可以在微加速度计受到冲击时提升敏感梁的刚度和整个敏感单元的刚性，外框上的缓冲止挡结构可在质量块与外框产生碰撞时进行阻挡与缓冲保护，提高了微加速度计抗过载性能。