- 专利标题: 基于多梳齿阵列的MEMS电容式微力传感器及去耦合测试方法
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申请号: CN202210028939.3申请日: 2022-01-11
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公开(公告)号: CN114383762B公开(公告)日: 2022-12-27
- 发明人: 高文迪 , 刘存朗 , 赵立波 , 谭仁杰 , 刘晓明 , 韩香广 , 卢德江 , 杨萍 , 王小章 , 王久洪 , 蒋庄德
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构: 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 贺建斌
- 主分类号: G01L1/14
- IPC分类号: G01L1/14 ; G01D21/02 ; B81B7/02
摘要:
基于多梳齿阵列的MEMS电容式微力传感器及去耦合测试方法,传感器包括通过支撑梁固定在边框上的质量块,质量块、支撑梁悬空,质量块外侧布置运动限位结构;质量块前端设置有一个凸起的探针,质量块末端布置有动梳齿阵列组,与动梳齿阵列组配合构成差分梳齿电容阵列的定梳齿阵列组连接在边框上;质量块由x方向刚度高的支撑梁支撑,y方向为其工作敏感方向,动梳齿阵列组、定梳齿阵列组偏离质量块中心布置;去耦合测试时,将定梳齿阵列中具有相同间距/面积变化趋势的阵列进行电气连接,其与质量块上的动梳齿阵列接入到常规电容检测方法进行差分检测;同时驱动定梳齿阵列施加不同的交流电势调整传感器的检测量程;本发明用于亚nN‑μN量级微力的测量。
公开/授权文献
- CN114383762A 基于多梳齿阵列的MEMS电容式微力传感器及去耦合测试方法 公开/授权日:2022-04-22