Invention Grant
- Patent Title: 存储器测试方法
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Application No.: CN202011111033.5Application Date: 2020-10-16
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Publication No.: CN114388049BPublication Date: 2023-09-12
- Inventor: 许小峰
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- Agency: 北京律智知识产权代理有限公司
- Agent 孙宝海; 袁礼君
- Main IPC: G11C29/52
- IPC: G11C29/52 ; G11C11/406 ; G11C11/4078

Abstract:
本公开提供一种存储器测试方法。方法包括:确定目标存储库的刷新周期T、设计抵御攻击频率F以及单行读取时间t;根据刷新周期T、设计抵御攻击频率F以及单行读取时间t确定攻击行数N;根据所述攻击行数N的值在目标存储库中确定一组目标攻击行,所述一组目标攻击行包括N个目标攻击行,所述N个目标攻击行中的至少两个目标攻击行之间间隔一行;连续X次读取所述N个目标攻击行后,检测所述目标攻击行的全部相邻行是否发生数据异常以完成一次攻击测试;在M个所述刷新周期内对所述目标存储库完成MT/NXt次所述攻击测试,在所述攻击测试均未发生数据异常时,判断所述目标存储库抵御攻击能力达标。本公开实施例可以有效验证DRAM抵御行锤效应攻击的能力。
Public/Granted literature
- CN114388049A 存储器测试方法 Public/Granted day:2022-04-22
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