本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及装置，该方法包括：S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物；S2、保持真空腔室的真空环境，向其中通入水蒸气以清洗待清洗晶圆表面的激光保护胶；S3、保持真空腔室的真空环境，将氧化性气体电离形成的等离子体通入其中以清洗晶圆表面的聚合物；S4、保持真空腔室的真空环境，将还原性气体电离形成的等离子体通入其中以还原晶圆表面的氧化铜。本发明方法单纯依赖气体对切割后晶圆进行分步清洗，保证晶圆表面各类杂质彻底清除，同时不破坏承载膜和晶圆表面结构，该方法简化流程，高效环保。