本发明提供一种全包围栅器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成绝缘层于衬底上；形成第一栅极层于绝缘层上；形成多个沟槽；形成第一栅介质层于第一栅极层的上表面及沟槽的侧壁与底壁；形成源极层于第一栅介质层上；去除源极层位于沟槽所在区域以外的部分；形成第二栅介质层于源极层的显露表面，第二、第一栅介质层相接以共同包裹源极层；去除第一栅极层上表面的第一栅介质层；形成第二栅极层于第一栅极层上，第二栅极层与第一栅极层相接以共同包裹栅介质层及源极层；形成隔离槽。本发明得到一种绝缘埋层上的栅极全包围源极的器件结构，可以提供更高速、高效的操作性能和更低的功耗，兼具FD‑SOI和GAA的双重优势，且降低了制作成本。